[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一闸极线，设置于该基板上；

一资料线，设置于该基板上；

一半导体图案，设置于该闸极在线，且该半导体图案是于一垂直投影方向上与该闸极线的两相对的边缘重叠；

一非金属源极图案与一非金属汲极图案，设置于该半导体图案上，其中该非金属源极图案与该非金属汲极图案是分别设置于该闸极线的两相对的该等边缘上，且该非金属源极图案是部分设置于该资料线与该闸极线之间以与该资料线电性连结；以及

一画素电极，设置于该基板上，且该画素电极是与该非金属汲极图案电性连结。

2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：该非金属源极图案与该非金属汲极图案是为一半导体掺杂层。

3.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：更包括一导电图案设置于该非金属汲极图案之上，其中该非金属汲极图案是透过该导电图案与该画素电极电性连结。

4.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：该非金属源极图案与该闸极线的一上表面于该垂直投影方向上不互相重叠，且该非金属汲极图案与该闸极线的该上表面于该垂直投影方向上不互相重叠。

5.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：该画素电极是直接与该非金属汲极图案相连以形成电性连结。

6.一种画素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在该基板上形成一闸极线；

在该闸极在线形成一闸极介电层；

在该闸极介电层上依序形成一半导体层以及一欧姆接触层；

对该半导体层进行一图案化制程，以形成一半导体图案，其中该半导体图案是于一垂直投影方向上与该闸极线的两相对的边缘重叠；

在该欧姆接触层与该闸极介电层上形成一资料线，其中该资料线是与该闸极线于该垂直投影方向上部分重叠；

对该欧姆接触层进行一蚀刻制程，以在该闸极线的两相对的该等边缘上分别形成一非金属源极图案与一非金属汲极图案；以及

在该基板上形成一画素电极，其中该画素电极是与该非金属汲极图案电性连结。

7.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：该欧姆接触层是为一非金属导电层。

8.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：对该欧姆接触层进行的该蚀刻制程是在该资料线形成之后进行，以形成该非金属源极图案与该非金属汲极图案。

9.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：对该欧姆接触层进行的该蚀刻制程是在该资料线形成之前进行，以在该资料线形成之前先形成该非金属源极图案与该非金属汲极图案。

10.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：更包括在该非金属汲极图案上形成一导电图案，其中该非金属汲极图案是透过该导电图案与该画素电极电性连结。

11.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：对该欧姆接触层进行的该蚀刻制程是用以使该非金属源极图案与该非金属汲极图案于该垂直投影方向上与该闸极线的一上表面不互相重叠。

12.根据权利要求6所述的画素结构的制作方法，其特征在于：该画素电极是直接与该非金属汲极图案相连以形成电性连结。