[发明专利]画素结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210029635.5 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN102543996A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 吴国伟;高金字 申请(专利权)人: 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350015 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 结构 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

本发明是关于一种画素结构及其制作方法,尤指一种可提升画素开口率的画素结构及其制作方法。

背景技术

随着液晶显示技术不断的提升,液晶显示面板已广泛地被应用在平面电视、笔记型计算机、手机与各类型的消费型电子产品上。

一般的液晶显示面板的画素结构包括了画素电极、薄膜晶体管以及交错排列的闸极线与资料线。薄膜晶体管则包括闸极电极、半导体层、源极电极与汲极电极。由于一般的源极电极与汲极电极是由与资料线相同的非透明金属材料所形成,故在薄膜晶体管的结构设计考量例如通道宽长比(channel width over length)与线宽制程限制之下,薄膜晶体管在画素结构中的大小与设置位置都直接影响到画素结构中的可透光区域的大小。换句话说,画素结构的开口率(aperture ratio)会因为非透明金属材料所形成的源极电极与汲极电极的影响与限制而无法提升。因此,为了提升画素结构的开口率,以改善液晶面板的显示质量与降低背光源的耗电量,必须对画素结构的设计进行改良。

发明内容

本发明的主要目的之一在于提供一种画素结构及其制作方法,利用欧姆接触层于闸极线的两相对的边缘上分别形成非金属源极图案与汲极图案,借以减少非透明电极图案所占的区域,进而达到提升画素结构的开口率的目的。

为达上述目的,本发明的一较佳实施例提供一种画素结构,包括一基板、一闸极线、一资料线、一半导体图案、一非金属源极图案、一非金属汲极图案以及一画素电极。闸极线与资料线是设置于基板上。半导体图案是设置于闸极在线,且半导体图案是于一垂直投影方向上与闸极线的两相对的边缘重叠。非金属源极图案与非金属汲极图案是设置于半导体图案上,且非金属源极图案与非金属汲极图案是分别设置于闸极线的两相对的边缘上。非金属源极图案是部分设置于资料线与闸极线之间以与资料线电性连结。画素电极是设置于基板上,且画素电极是与非金属汲极图案电性连结。

为达上述目的,本发明的另一较佳实施例提供一种画素结构的制作方法,包括下列步骤:提供一基板;在基板上形成一闸极线,并在闸极在线形成一闸极介电层;在闸极介电层上依序形成一半导体层以及一欧姆接触层,并对半导体层进行一图案化制程,以形成一半导体图案;半导体图案是于一垂直投影方向上与闸极线的两相对的边缘重叠;在欧姆接触层与闸极介电层上形成一资料线,且资料线是与闸极线于垂直投影方向上部分重叠;对欧姆接触层进行一蚀刻制程,以于闸极线的两相对的边缘上分别形成一非金属源极图案与一非金属汲极图案;在基板上形成一画素电极,且画素电极是与非金属汲极图案电性连结。

附图说明

图1至图4绘示了本发明的第一较佳实施例的画素结构的制作方法示意图。

图5至图8绘示了本发明的第二较佳实施例的画素结构的制作方法示意图。

图9与图10绘示了本发明的第三较佳实施例的画素结构的示意图。

图中:100画素结构,110基板,120闸极线,120A上表面,130闸极介电层,140半导体层,141半导体图案,150欧姆接触层150D非金属汲极图案,150S非金属源极图案,161资料线,162导电图案,170 保护层,170V接触开口,180画素电极,200画素结构,240半导体层,241半导体图案,250欧姆接触层,250D非金属汲极图案,250S非金属源极图案,300画素结构,370保护层,370V接触开口,380画素电极,S边缘,Z垂直投影方向。

具体实施方式

在本说明书及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解,制作商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区别元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包括」为一开放式的用语,故应解释成「包括但不限定于」。再者,为使熟习本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明,下文特列举本发明的数个较佳实施例,并配合所附图式,详细说明本发明的构成内容。需注意的是图式仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。此外,在文中使用例如”第一”与”第二”等叙述,仅用以区别不同的元件,并不对其产生顺序的限制。

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