[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201210029684.9 | 申请日: | 2012-02-08 |
公开(公告)号: | CN102931209A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 李律圭;朴鲜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
薄膜晶体管,具有活性层、栅电极、源电极及漏电极;
至少两个以上的电容器,所述电容器具有设置在与所述活性层相同的层的第一电极,所述第一电极具有掺杂有离子杂质的第一部分和未掺杂有离子杂质的第二部分,所述电容器还具有设置在与所述栅电极相同的层并设置在与所述第二部分对应的位置处的第二电极;
像素电极,设置在与所述栅电极相同的层,并且与所述源电极和所述漏电极中的一个连接;
发光层,设置在所述像素电极上;以及
相对电极,设置在所述发光层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一部分围绕所述第二部分。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电极的尺寸和所述第二部分的尺寸是相同的。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
至少两个以上的所述第一电极的所述第一部分之间是电连接的。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述至少两个以上的第二电极是绝缘的。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述栅电极包括:
第一层,包含所述像素电极所包含的透明导电物;以及
第二层,包含金属。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述电容器的第二电极包括:
第一层,包含所述像素电极所包含的透明导电物;以及
第二层,包含金属。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述透明导电物包含选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化镓铟以及氧化锌铝的至少一种。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,至少一个所述电容器还包括:
第三电极,设置在所述第二电极上。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第三电极设置在与所述源电极及所述漏电极相同的层,并且包含与所述源电极及所述漏电极相同的物质。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述活性层包含非晶硅或者晶化硅。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
从基板开始,所述薄膜晶体管以所述活性层、所述栅电极、所述源电极及所述漏电极的顺序设置。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其特征在于,
在所述活性层和所述栅电极之间设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层直接设置在所述像素电极下部。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述像素电极包含透明导电物,所述相对电极包含反射物质。
15.一种有机发光显示装置的制造方法,包括:
第一掩模工序,形成半导体层,图案化所述半导体层以形成薄膜晶体管的活性层、至少两个以上的电容器的第一电极;
第二掩模工序,形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物和第一金属并将其图案化,以形成依次层叠有所述透明导电物和所述第一金属的薄膜晶体管的栅电极、至少两个以上的电容器的第二电极以及像素电极;
第三掩模工序,形成第二绝缘层,并且形成使所述活性层的源和漏区域以及所述像素电极露出的接触孔;
第四掩模工序,形成第二金属,图案化所述第二金属以形成与所述源和及漏区域连接的源和漏电极,并且去除所述像素电极上的所述第一金属和所述第二金属;以及
第五掩模工序,形成第三绝缘层,图案化所述第三绝缘层以使所述像素电极露出。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第二掩模工序之后,在所述源和漏区域,以及不与所述第二电极重叠的位置处的、所述第一电极的外围掺杂离子杂质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的