[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置不仅具有重量轻、厚度薄的优点，而且还具有视角宽、响应速度快以及功耗低等优点，从而作为下一代显示装置而受人瞩目。

发明内容

本发明的目的在于提供制造工序简单且能够降低制造成本的有机发光显示装置及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，包括：具有活性层、栅电极、源电极以及漏电极的薄膜晶体管；具有掺杂有离子杂质的第一部分和未掺杂有离子杂质的第二部分、并且具有设置在与所述活性层相同的层的第一电极和设置在与所述栅电极相同的层并设置在与所述第二部分对应的位置处的第二电极的至少两个以上的电容器；设置在与所述栅电极相同的层并且与所述源电极和漏电极中的一个连接的像素电极；设置在所述像素电极上的发光层；以及设置在所述发光层上的相对电极。

所述第一部分可以围绕所述第二部分。

所述第二电极的尺寸和所述第二部分的尺寸可以是相同的。

至少两个以上的所述第一电极的所述第一部分之间可以是互相电连接的。

所述至少两个以上的第二电极可以是绝缘的。

所述栅电极可以包括：包含所述像素电极所包含的透明导电物的第一层；以及包含金属的第二层。

所述电容器的第二电极可以包括：包含所述像素电极所包含的透明导电物的第一层；以及包含金属的第二层。

所述透明导电物可以包含选自氧化铟锡(indium tin oxide，简称为ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，简称为IZO)、氧化锌(zinc oxide，简称为ZnO)、氧化铟(indium oxide，简称为In₂O₃)、氧化镓铟(indium gallium oxide，简称为IGO)以及氧化锌铝(aluminium zinc oxide，简称为AZO)的至少一种。

所述至少一个电容器还可以包括：设置在所述第二电极上的第三电极。

所述第三电极设置在与所述源电极及漏电极相同的层，并且可以包含与所述源电极及漏电极相同的物质。

所述活性层可以包含非晶硅或者晶化硅。

从基板开始，所述薄膜晶体管可以以所述活性层、栅电极、源电极及漏电极的顺序设置。

在所述活性层和所述栅电极之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层可以直接设置在所述像素电极下部。

根据本发明的另一方面，可以提供有机发光显示装置的制造方法，包括：形成半导体层并图案化所述半导体层以形成薄膜晶体管的活性层、至少两个以上的电容器的第一电极的第一掩模工序；形成第一绝缘层、在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物和第一金属并图案化以形成依次层叠有所述透明导电物和第一金属的薄膜晶体管的栅电极、至少两个以上的电容器的第二电极以及像素电极的第二掩模工序；形成第二绝缘层并且形成使所述活性层的源和漏区域以及所述像素电极露出的接触孔的第三掩模工序；形成第二金属并图案化所述第二金属以形成与所述源和漏区域连接的源和漏电极并且去除所述像素电极上的第一金属和第二金属的第四掩模工序；以及形成第三绝缘层并图案化所述第三绝缘层以使所述像素电极露出的第五掩模工序。

所述第二掩模工序之后，可以在所述源和漏区域，以及不与所述第二电极重叠的位置处的、所述第一电极的外围掺杂离子杂质。

可以在连接所述至少两个以上的第一电极的排线一同掺杂所述离子杂质。

可以将所述第二电极形成为小于所述第一电极。

所述第四掩模工序可以包括：蚀刻所述第二金属的第一蚀刻工序；以及蚀刻所述第一金属的第二蚀刻工序。

在所述第四掩模工序，以与所述第一金属相同的材料形成所述第二金属，并且可以同时蚀刻所述第一金属和第二金属。

通过图案化所述第二金属，在所述第二电极上可以进一步形成所述第三电极。

所述第五掩模工序之后，在所述像素电极上部可以进一步形成发光层和相对电极。

如上所述的根据本发明的有机发光显示装置及其制造方法，提供如下所述的效果。

第一，将掺杂工序减少为一回，从而可以简化制造工序、降低制造成本。

第二，将电容器的上部电极形成为相比下部电极更小，以在下部电极的外围和排线形成掺杂区域，从而即使是MOS CAP结构，也可以提高电压设计裕度。

第三，通过将电容器并联，从而可以提高整体静电电容。