[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210031292.6 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102637589A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 小田高司;高本尚英;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/768;C09J7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片，将依次层叠支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层而成的保护层形成用薄膜以所述热固性树脂层为贴合面进行贴合的工序；
将所述支撑基材和所述粘合剂层，从所述热固性树脂层剥离的工序；
加热所述热固性树脂层而使之固化，形成保护层的工序；和
将所述带有凸点的晶片与保护层一起进行切片的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述热固性树脂层的溶融粘度在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下为1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S，
所述粘合剂层的剪切弹性模量在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下为1×103Pa以上且2×106Pa以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述热固性树脂层具有凸点高度的0.05～0.9倍的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210031292.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：调整字体大小的方法和终端
- 下一篇：一种预防鸡疾病的疫苗及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
