[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用了将支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层依次层叠而成的保护层形成用薄膜的半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，随着形成于半导体芯片中的电路图案的精细化，电路之间的距离变近，因此相邻的电路间的电容增大。此外，还与之成比例地产生经电路传播的信号变慢的现象(信号延迟)。所以，提出了使用介电常数低的所谓low-k材料(低介电常数材料)在电路上形成低介电常数材料层来降低电路间电容的方案。

作为上述低介电常数材料层，例如可以举出SiO₂膜(介电常数k＝4.2)、SiOF膜(k＝3.5～3.7)、SiOC膜(k＝2.5～2.8)等。此种低介电常数材料层例如可以在半导体晶片上利用等离子体CVD法形成。

但是，如上所述的低介电常数材料层非常脆，在半导体加工过程的切片工序中会产生裂纹，有可能引起半导体元件的动作异常。所以，近年来，采取使用激光先去掉低介电常数材料层后(激光划线)用刀片等进行切片的方法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-093273号公报

但是，此种方法中，在进行切片时，首先进行激光划线，其后用刀片等进行切片，因此存在工序数增加的问题。另外，即使使用了激光划线，由于低介电常数材料层脆，因此无法充分地减少裂纹的产生，在这一点上有改善的余地。

发明内容

本发明是鉴于所述问题而完成的，其目的在于，提供一种可以抑制工序数的增加的同时，防止低介电常数材料层的裂纹的半导体装置的制造方法。

本申请发明人等为了解决上述以往的问题进行了研究，结果发现，通过在带有凸点的晶片的低介电常数材料层上形成保护层，将带有凸点的晶片与保护层一起切片，就可以在抑制工序数的增加的同时，防止低介电常数材料层的裂纹，从而完成了本发明。

即，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：

在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上，将依次层叠支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层而成的保护层形成用薄膜以所述热固性树脂层作为贴合面贴合的工序；

将所述支撑基材和所述粘合剂层从所述热固性树脂层上剥离的工序；

加热所述热固性树脂层而使之固化，形成保护层的工序；以及

将所述带有凸点的晶片与保护层一起切片的工序。

根据所述构成，由于在带有凸点的晶片的低介电常数材料层上形成有保护层，因此低介电常数材料层由保护层加强。此外，其后，带有凸点的晶片被与保护层一起切片。其结果是，由于低介电常数材料层在由保护层加强的状态下被切片，因此可以抑制在低介电常数材料层中产生裂纹的情况。另外，由于低介电常数材料层在由保护层加强的状态下被切片，因此也可以不用预先利用激光划线等除去低介电常数材料层。其结果是，可以抑制工序数的增加。

在所述构成中，优选所述热固性树脂层的溶融粘度在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，为1×10²Pa·S以上且小于2×10⁴Pa·S，所述粘合剂层的剪切弹性模量在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，为3×10⁴Pa以上且2×10⁶Pa以下。如果所述热固性树脂层的溶融粘度在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，为1×10²Pa·S以上且小于2×10⁴Pa·S，所述粘合剂层的剪切弹性模量在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，为3×10⁴Pa以上且2×10⁶Pa以下，则在带有凸点的晶片上贴合保护层形成用薄膜时，可以使凸点从热固性树脂层中突出。其结果是，可以抑制连接可靠性的降低。

另外，由于所述热固性树脂层的溶融粘度在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，为1×10²Pa·S以上，因此在带有凸点的晶片上贴合保护层形成用薄膜时，可以防止热固性树脂层被冲走，可以可靠地形成保护层。另外，由于所述热固性树脂层的溶融粘度在所述带有凸点的晶片上贴合所述保护层形成用薄膜时的温度下，小于2×10⁴Pa·S，因此可以更为可靠地使凸点从热固性树脂层中突出。