[发明专利]一种有机硅混合单体甲基氯硅烷的分离新工艺有效
| 申请号： | 201210032092.2 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102617629A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 高维平;李晓光;杨莹;王葳;栾国颜 | 申请（专利权）人： | 吉林化工学院化工分离技术开发中心 |
| 主分类号： | C07F7/20 | 分类号： | C07F7/20;C07F7/12;C07F7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 混合 单体 甲基 硅烷 分离 新工艺 | ||
1.一种有机硅混合单体甲基氯硅烷的分离，采用说明书所述的工艺及说明书附图中图1和图2所示的甲基氯硅烷混合物中各组份的分离顺序和工艺流程。
2.根据权利要求1所述，脱高塔T0301的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度67～69℃，塔底温度144～146℃，回流比4～6。
3.根据权利要求1所述，脱轻I塔T0302的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度52～54℃，塔底温度73～74℃，回流比70～95。
4.根据权利要求1所述，M1、M2产品塔的中切A塔T0303A的工艺参数：操作压力101～130kpa(a)，塔顶温度66～68℃，回流比200～300。
5.根据权利要求1所述，M1、M2产品塔的中切B塔T0303B的工艺参数：操作压力130～150kpa(a)，塔底温度80～82℃。
6.根据权利要求1所述，脱轻II塔T0304的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度39～41℃，塔底温度59～62℃，回流比7～9。
7.根据权利要求1所述，M3产品塔T0305的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度53～55℃，塔底温度60～62℃，回流比100～150。
8.根据权利要求1所述，MH产品塔T0306的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度31～33℃，塔底温度44～46℃，回流比50～78。
9.根据权利要求1所述，M2H产品塔T0307的工艺参数：操作压力101～150kpa(a)，塔顶温度29～31℃，塔底温度35～37℃，回流比33～50。
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