[发明专利]一种丙烯酸正性光刻胶及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻胶，尤其涉及一种丙烯酸树脂体系的正性光刻胶组合物及其制备方法。

背景技术

在集成电路的制备过程中，光刻胶是进行光刻过程的关键功能材料。光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。简单来讲就是用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂。它是IC制造业中最为重要的一道工艺, 占据了芯片制造中大约一半的步骤，约占所有成本的35%。而光刻胶作为光刻过程中的主要材料尤为重要。光刻胶可以分为两类：光致溶解的正性光刻胶和光致聚合的负性光刻胶。所谓正性光刻胶是在掩膜板上，图形曝光的部分被显影液洗去，留下未曝光的图形形成图形；而负性光刻胶是在光刻过程中，掩膜板上未曝光的部分在显影时被洗去，而曝光的部分形成图形。正胶与负胶相比存在着分辨率高，边缘整齐，反刻易对准等优点。

在光刻工艺中分辨率与曝光波长成反比，即曝光波长越短分辨率越高。为了提高光刻胶的分辨率，人们一直在对光刻胶不断进行改进，但现有的光刻胶适用的紫外曝光光源的波长一般在300-600nm之间，因此普遍存在分辨率低的问题。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是：根据现有技术存在的不足，提供一种衍射作用小、分辨率及灵敏度高、反差大以及透过性好、抗蚀刻能力强的丙烯酸正性光刻胶。

本发明所要解决的第二个技术问题是：根据现有技术存在的不足，提供一种衍射作用小、分辨率及灵敏度高、反差大以及透过性好、抗蚀刻能力强的丙烯酸正性光刻胶的制备方法。 

为解决上述第一个技术问题，本发明的技术方案是：

一种丙烯酸正性光刻胶，所述正性光刻胶由包括以下重量百分比的原料制备而成：

聚丙烯酸树脂                   5～30wt%，              

光致酸发生剂                   1～20wt%，

含有多个羟基的酯               5～40wt%，

丙二醇甲醚醋酸酯               30～60wt%。

作为一种优选，所述正性光刻胶由包括以下重量百分比的原料制备而成：

聚丙烯酸树脂                   5～30wt%，              

光致酸发生剂                   1～10wt%，

含有多个羟基的酯               5～40wt%，

丙二醇甲醚醋酸酯               30～60wt%。

其中，所述光致酸发生剂是在紫外线的辐射下能释放强酸的化合物。

作为一种优选，所述光致酸发生剂为三苯基锍与三氟甲磺酸的盐(1:1)。

作为一种优选，所述含有多个羟基的酯为二季戊四醇六丙烯酸酯或二季戊四醇五丙烯酸酯。

作为一种改进，所述丙烯酸正性光刻胶适用于波长为365纳米、248纳米、193纳米或13.5纳米的曝光光源。

本发明丙烯酸正性光刻胶可以采用常规的涂胶方法旋涂，使胶均匀的涂覆于晶圆上，再经过前烘、曝光、后烘、显影等一系列步骤生成所需要图形。

为解决上述第二个技术问题，本发明的技术方案是：

丙烯酸正性光刻胶的制备方法，是在无尘、黄光条件下，按照聚丙烯酸树脂5～30wt%，光致酸发生剂1～20wt%，含有多个羟基的酯5～40wt%，丙二醇甲醚醋酸酯30～60wt%；或聚丙烯酸树脂5～30wt%，光致酸发生剂1～10wt%，含有多个羟基的酯5～40wt%，丙二醇甲醚醋酸酯30～60wt%的重量百分比，包括以下步骤制备：

（1）向丙二醇甲醚醋酸酯中加入含有多个羟基的酯；

（2）将步骤（1）的物质搅拌6～10个小时形成混合溶液；

（3）向所述混合溶液中加入聚丙烯酸树脂、光致酸发生剂；

（4）将（3）得到的组合物搅拌20～30小时，得到所述丙烯酸正性光刻胶。

其中，所述光致酸发生剂是在紫外线的辐射下能释放强酸的化合物。

作为一种优选，所述光致酸发生剂为三苯基锍与三氟甲磺酸的盐(1:1)。

作为一种优选，所述含有多个羟基的酯为二季戊四醇六丙烯酸酯或二季戊四醇五丙烯酸酯。

由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：