[发明专利]显示设备及其薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其包括基底、闸极层、闸极绝缘层、以及源极/汲极层，该闸极层设置于该基底上，具有一第一闸极与一第二闸极，该第一闸极与该第二闸极电性连接，该闸极绝缘层设置于该基底上，且覆盖该闸极层，其特征在于：该薄膜晶体管结构还包括第一半导体岛以及第二半导体岛，该第一半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第一闸极的上方，该第二半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第二闸极的上方，该源极/汲极层设置于该第一半导体岛及该第二半导体岛上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：该第一半导体岛为内岛状结构或外岛状结构。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：该第一半导体岛与该第二半导体岛的其中之一为内岛状结构，另一为外岛状结构。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：该第一半导体岛覆盖于该第一闸极上的该闸极绝缘层，并且该第一半导体岛的一侧朝该第一闸极的一边缘外的上方延伸，并且该第一半导体岛的另一侧内缩于该第一闸极的另一边缘内的上方。

5.一种显示设备，其包括薄膜晶体管基板以及设置于该薄膜晶体管基板上的显示层，该薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管结构，每一该薄膜晶体管结构包括基底、闸极层、闸极绝缘层以及源极/汲极层，该闸极层设置于该基底上，具有一第一闸极与一第二闸极，该第一闸极与该第二闸极电性连接，该闸极绝缘层设置于该基底上，且覆盖该闸极层，其特征在于：该薄膜晶体管结构还包括第一半导体岛以及第二半导体岛，该第一半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第一闸极的上方，该第二半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第二闸极的上方，该源极/汲极层设置于该第一半导体岛及该第二半导体岛上。

6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于：该第一岛状结构为内岛状结构或外岛状结构。

7.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于：该第一半导体岛与该第二半导体岛的其中之一为内岛状结构，另一为外岛状结构。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：该第一半导体岛覆盖于该第一闸极上的该闸极绝缘层，并且该第一半导体岛的一侧朝该第一闸极的一边缘外的上方延伸，并且该第一半导体岛的另一侧内缩于该第一闸极的另一边缘内的上方。    

9.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于：该显示层为电泳显示层。  

10.一种显示设备，其包括薄膜晶体管基板以及设置于该薄膜晶体管基板上的显示层，其特征在于：该薄膜晶体管基板具有第一薄膜晶体管结构及与该第一薄膜晶体管结构相邻的第二薄膜晶体管结构，该第一薄膜晶体管结构包括一第一半导体岛，该第二薄膜晶体管结构包括一第二半导体岛，该第一半导体岛的结构与该第二半导体岛的结构不同。

11.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于：该第一半导体岛与该第二半导体岛的其中之一为内岛状结构，另一为外岛状结构。