[发明专利]显示设备及其薄膜晶体管结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示设备，且特别是有关于一种显示设备及其薄膜晶体管结构。

背景技术

薄膜晶体管结构在显示设备中的应用日渐广泛，例如其可应用于液晶显示设备(Liquid Crystal Display, LCD)、电子纸显示设备(Electronic Paper Display, EPD)与有机发光二极管显示设备(Organic Light Emitting Diode Display, OLED)。

一种薄膜晶体管结构包括基底、闸极电极、闸极绝缘层、岛状结构(Island Structure)、源极电极及汲极电极层。其中，闸极电极设于基底上，闸极绝缘层覆盖于闸极电极上，岛状结构设于闸极绝缘层上，而源极电极与汲极电极位于岛状结构的上方。

上述薄膜晶体管结构可在液晶显示设备中应用。然而，若将上述薄膜晶体管结构在电子纸显示设备中使用，由于电子纸显示设备是采用外界光的反射，薄膜晶体管结构中的岛状结构于光照射后会形成导电层而使岛状结构漏电，因此会容易造成电子纸显示设备显示时画面产生异常。

因此，如何避免显示设备显示时发生异常，以提升显示设备的显示效果实为相关领域的人员所重视的议题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管结构，其可防止漏电流的产生。

本发明提供一种显示设备，其可避免显示时发生异常，从而提高显示效果。

本发明提出一种薄膜晶体管结构，其包括基底、闸极层、闸极绝缘层、第一半导体岛、第二半导体岛与源极/汲极层。闸极层设置于基底上，具有第一闸极与第二闸极，且第一闸极与第二闸极电性连接。闸极绝缘层设置于基底上，且覆盖闸极层。第一半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第一闸极的上方。第二半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第二闸极的上方。源极/汲极层设置于第一半导体岛及第二半导体岛上。

本发明提出一种显示设备，其包括薄膜晶体管基板与显示层。薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管结构。每一薄膜晶体管结构包括基底、闸极层、闸极绝缘层、第一半导体岛、第二半导体岛与源极/汲极层。闸极层设置于基底上，具有第一闸极与第二闸极，且第一闸极与第二闸极电性连接。闸极绝缘层设置于基底上，且覆盖闸极层。第一半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第一闸极的上方。第二半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第二闸极的上方。源极/汲极层设置于第一半导体岛及第二半导体岛上。显示层设置于薄膜晶体管基板上。

本发明还提出一种显示设备，其包括薄膜晶体管基板与显示层。薄膜晶体管基板具有第一薄膜晶体管结构及与第一薄膜晶体管结构相邻的第二薄膜晶体管结构。第一薄膜晶体管结构包括第一半导体岛，第二薄膜晶体管结构包括第二半导体岛。第一半导体岛的结构与第二半导体岛的结构不同。显示层设置于薄膜晶体管基板上。

上述的薄膜晶体管结构及显示设备具有双岛结构，而双岛结构可防止漏电流的产生，因此可避免显示设备在显示时发生异常，从而有利于提升显示设备的显示效果。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1所示为本发明一实施例的显示设备的侧视示意图。

图2所示为图1所示的显示设备的薄膜晶体管结构的俯视示意图。

图3所示为图2所示的薄膜晶体管结构沿III-III’线剖开的剖面示意图。

图4所示为另一实施例的薄膜晶体管结构的俯视示意图。

图5所示为图4所示的薄膜晶体管结构沿V-V’线剖开的剖面示意图。

图6所示为另一实施例的薄膜晶体管结构的俯视示意图。

图7所示为图6所示的薄膜晶体管结构沿VI-VI’线剖开的剖面示意图。

图8所示为另一实施例的薄膜晶体管结构的俯视示意图。

图9所示为图8所示的薄膜晶体管结构沿IX-IX’线剖开的剖面示意图。

图10所示为另一实施例的薄膜晶体管基板的局部示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的显示设备及其薄膜晶体管结构的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。