[发明专利]芯片封装结构有效
申请号: | 201210034270.5 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN103094232A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 赖奎佑 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 | ||
1.一种芯片封装结构,包含:
一芯片,具有一主动面及多个焊垫,所述多个焊垫设置于所述主动面上;
一保护层,形成于所述主动面上,所述保护层局部显露各个所述焊垫;
多个凸块,分别形成于各个所述焊垫上,并与所述焊垫电性连接;
一绝缘薄膜层,形成于所述保护层上,所述绝缘薄膜层显露所述多个凸块,且相邻的各个所述凸块间的所述绝缘薄膜层具有至少一个凹槽;
一可挠性基板,具有多个引脚,所述芯片与所述可挠性基板接合,使所述多个引脚与所述多个凸块对应电性连接;以及
一封装胶体,填充于所述芯片及所述可挠性基板所形成的空间中。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述多个凸块沿所述芯片的至少二个相对侧边间隔排列,两相邻间隔排列的所述多个凸块的一边壁相互投影形成一平面重迭区域,所述绝缘薄膜层的所述至少一个凹槽延伸截断所述平面重迭区域。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘薄膜层的一厚度介于5至10微米,且所述至少一个凹槽的一深度介于2至5微米。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘薄膜层的材料选自聚酰亚胺、光阻焊剂或苯环丁烯。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述至少一个凹槽为所述封装胶体所填充。
6.一种芯片封装结构,包含:
一芯片,具有一主动面及多个焊垫,所述多个焊垫设置于所述主动面上;
一保护层,形成于所述主动面上,所述保护层局部显露各个所述焊垫;
多个凸块,分别形成于各个所述焊垫上,并与所述焊垫电性连接;
多个绝缘突起,形成于所述保护层上,且相邻的各个所述凸块间具有至少一个所述绝缘突起;
一可挠性基板,具有多个引脚,所述芯片与所述可挠性基板接合,使所述多个引脚与所述多个凸块对应电性连接;以及
一封装胶体,填充于所述芯片及所述可挠性基板所形成的空间中。
7.如权利要求6所述的芯片封装结构,其特征在于,所述多个凸块沿所述芯片的至少二个相对侧边间隔排列,两相邻间隔排列的所述多个凸块的一边壁相互投影形成一平面重迭区域,所述至少一个绝缘突起延伸截断所述平面重迭区域。
8.如权利要求6所述的芯片封装结构,其特征在于,更包含一绝缘薄膜层形成于所述保护层上,所述绝缘薄膜层显露所述多个凸块,且所述多个绝缘突起形成于所述绝缘薄膜层上。
9.如权利要求6所述的芯片封装结构,其特征在于,各个所述绝缘突起的一高度介于2至10微米。
10.如权利要求8所述的芯片封装结构,其特征在于,所述多个绝缘突起及所述绝缘薄膜层的材料选自聚酰亚胺、光阻焊剂或苯环丁烯。
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