[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成栅绝缘层和第一导电层；

刻蚀所述第一导电层和所述栅绝缘层以暴露所述半导体衬底的一部分；

通过反复地执行干法刻蚀工艺和清洗工艺而将沟槽形成到所述半导体衬底的目标深度，所述干法刻蚀工艺用于刻蚀被暴露的所述半导体衬底，所述清洗工艺用于去除在所述干法刻蚀工艺中产生的残留物；

在所述沟槽内形成隔离层；

在形成有所述隔离层的整个结构的表面上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成第二导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，执行所述干法刻蚀工艺以将被暴露的所述半导体衬底刻蚀得更深。

3.如权利要求1所述的方法，其中，执行所述清洗工艺以去除所述残留物，同时保持所述半导体衬底的刻蚀深度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洗工艺包括湿法清洗工艺和干法清洗工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洗工艺包括湿法清洗工艺，而在所述干法刻蚀工艺中所述半导体衬底被刻蚀到比所述目标深度更浅的设定深度。

6.如权利要求4所述的方法，其中，利用H₂SO₄溶液、标准清洗-1溶液、或H₂SO₄溶液与标准清洗-1溶液的混合物中的一种来执行所述湿法清洗工艺。

7.如权利要求4所述的方法，其中，通过将所述半导体衬底加载到单独式的设备中并向所述半导体衬底施加异丙醇来执行所述湿法清洗工艺。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述异丙醇具有50℃到80℃的温度。

9.如权利要求8所述的方法，其中，通过将用于喷出所述异丙醇的喷嘴预加热而达到所述温度。

10.如权利要求4所述的方法，其中，利用氮气和氩气的混合气体来执行所述干法清洗工艺。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层由厚度为到的多晶硅层形成。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电层由多晶硅层形成。

13.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成栅绝缘层和第一导电层；

刻蚀所述第一导电层和所述栅绝缘层以暴露所述半导体衬底的一部分；

通过反复地执行初步干法刻蚀工艺和湿法清洗工艺来形成具有比目标深度更浅的第一深度的沟槽，所述初步干法刻蚀工艺用于刻蚀被暴露的所述半导体衬底，所述湿法清洗工艺用于去除在所述初步干法刻蚀工艺中产生的残留物；

对所述沟槽执行第二干法刻蚀工艺以具有所述目标深度；

执行用于去除在所述第二干法刻蚀工艺中产生的残留物的干法清洗工艺；

在所述沟槽内形成隔离层；

在形成有所述隔离层的整个结构的表面上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成第二导电层。

14.如权利要求13所述的方法，其中，利用H₂SO₄溶液、标准清洗-1溶液、或H₂SO₄溶液与标准清洗-1溶液的混合物中的一种来执行所述湿法清洗工艺。

15.如权利要求13所述的方法，其中，通过将所述半导体衬底加载到单独式的设备中并向所述半导体衬底施加异丙醇来执行所述湿法清洗工艺。

16.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一深度是使得在所述湿法清洗工艺中防止由在所述初步干法刻蚀工艺中刻蚀暴露的所述半导体衬底而形成在所述沟槽之间的图案倾斜的深度。

17.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成叠层；

在所述叠层上形成掩模图案；

反复进行干法刻蚀工艺和湿法清洗工艺以将在所述掩模图案之间暴露的所述叠层刻蚀到第一深度；以及

通过在所述叠层被刻蚀到所述第一深度时执行干法刻蚀工艺而将要刻蚀到目标深度的所述叠层图案化。