[发明专利]锚定的导电通孔及形成方法

权利要求书

1.一种用于形成导电通孔的方法，包括：

形成具有导电材料的表面的导电接触结构；

在所述导电接触结构上形成底切层，所述底切层是与所述导电材料的表面不同的材料；

在所述底切层上和所述导电接触结构上形成电介质层，所述底切层位于所述电介质层与所述导电接触结构之间；

在所述导电接触结构上的所述电介质层中形成开口；

通过所述电介质层中的开口去除所述底切层的材料，其中通过所述电介质层中的开口露出所述导电接触结构的表面，其中通过去除所述底切层的材料形成的开口比所述电介质层中的开口宽，使得所述电介质层具有在所述导电接触结构上方的与所述电介质层中的开口相邻的悬突部分；以及

以导电填充材料填充通过所述去除所述底切材料形成的开口并且至少部分地填充所述电介质层中的开口，其中所述填充形成位于所述电介质层的所述悬突部分与所述导电接触结构之间的导电填充材料，

其中：

填充所述开口被执行使得所述导电填充材料具有内部张应力以提供对所述悬突部分的向上压力，并且

所述至少部分填充所述开口包括，以所述导电填充材料填充所述开口至所述电介质层的顶表面上方，以及在与所述电介质层的开口相邻的所述电介质层的顶表面上的区域中形成导电填充材料，其中所述导电填充材料具有内部张应力，以提供对处于与所述电介质层的开口相邻的所述区域处的所述电介质层的顶表面的向下压力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除底切层的材料包括：

利用采用对所述底切材料具有选择性而对所述电介质材料没有选择性的蚀刻化学品的各向同性蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述底切层包括在工件的表面上形成所述底切层，所述工件包括所述导电接触结构，其中在所述工件的所述表面上形成所述底切层包括在所述导电接触结构外的区域上形成有所述底切层；

形成所述电介质层包括在所述底切层上的位于所述导电接触结构外的所述区域中形成有所述电介质层；

去除所述底切层的材料导致在至少一些所述区域中残留所述底切层的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质层的特征在于是钝化层，并且所述导电接触结构的特征在于是位于集成电路的最终金属层中的导电结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成导电填充材料被执行为使得所述导电填充材料在与所述电介质层的开口相邻的所述电介质层的所述顶表面上并与所述顶表面接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述至少部分地填充开口包括填充所述开口的所述顶表面之上的开口；

所述方法包括将所述电介质材料和所述导电填充材料的顶表面平坦化；

所述方法还包括在平坦化的导电填充材料的顶表面之上与平坦化的导电填充材料的电导通地形成导电结构。