[发明专利]锚定的导电通孔及形成方法有效
申请号: | 201210037938.1 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102646664B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | T·S·尤林 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/768 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锚定 导电 形成 方法 | ||
技术领域
本公开一般地涉及半导体工艺,并且更具体地说,涉及一种锚定的导电通孔(anchored conductive via)及形成方法。
背景技术
在半导体工艺中,金属层与下方表面的粘接有时不足以承受来自半导体封装的机械应力或热应力。这可能导致金属层从下方的表面抬升或与其分离。这种抬升或者分离可能导致例如电开路或者提供了湿气或者污染物进入的路径。
发明内容
根据本发明一个方面,提供了一种用于形成导电通孔的方法,包括:形成具有导电材料的表面的导电接触结构;在所述导电接触结构上形成底切层,所述底切层是与所述导电材料的表面不同的材料;在所述底切层在和所述导电接触结构上形成电介质层,所述底切层位于所述电介质层与所述导电接触结构之间;在所述导电接触结构上的所述电介质层中形成开口;通过所述电介质层中的开口去除所述底切层的材料,其中通过所述电介质层中的开口露出所述导电接触结构的表面,其中通过去除所述底切层的材料形成的开口比所述电介质层中的开口宽,使得所述电介质层具有在所述导电接触结构上方的与所述电介质层中的开口相邻的悬突部分;以及以导电填充材料填充通过所述去除所述底切材料形成的开口并且至少部分地填充所述电介质层中的开口,其中所述填充形成位于所述电介质层的所述悬突部分与所述导电接触结构之间的导电填充材料。
根据本发明另一方面,提供了一种集成电路,包括:导电接触结构,包括具有最高点的主顶表面;电介质层,位于所述主顶表面上,所述电介质层包括位于所述主顶表面上的悬突部分,所述悬突部分限定开口,其中所述悬突部分具有与所述主顶表面的所述最高点所在的平行面垂直分离的下侧平面;以及导电材料结构,与所述导电接触结构电导通,其中所述导电材料结构包括垂直地位于所述悬突部分的下侧平面与所述导电接触结构的所述主顶表面之间的第一部分,所述导电材料结构包括至少部分地填充所述悬突部分所限定的所述开口的第二部分。
附图说明
以示例的方式示出了本发明,并且本发明不受附图的限制,在附图中,相同的附图标记指示类似的单元。附图中的单元出于简化和清楚起见而示出的,而不必按比例绘制。
图1示出根据本发明一个实施例的处于工艺阶段的半导体结构10。
图2示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图1所示半导体结构10。
图3示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图2所示半导体结构10。
图4示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图3所示半导体结构10。
图5示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图4所示半导体结构10。
图6示出根据本发明一个实施例的处于工艺阶段的半导体结构100。
图7示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图6所示半导体结构100。
图8示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图7所示半导体结构100。
图9示出根据本发明一个实施例的处于后续工艺阶段的图8所示半导体结构100。
具体实施方式
在一个实施例中,为了改善导电通孔与下方金属垫盘(pad)的粘接,在金属垫盘上形成锚定的导电通孔。在一个实施例中,在金属垫盘上形成电介质层,并且在该电介质层中形成开口,导致在该金属垫盘上的电介质层的悬突部分。然后,该开口被至少部分填充以导电材料,以形成导电通孔,其中,导电材料形成在所述悬突部分的下方,以形成在电介质的悬突部分下延伸的导电通孔的锚部分。以这样的方式,锚部分可以允许改善导电通孔对下方的金属垫盘的粘接性。在一个实施例中,该导电材料被形成为具有张性(tensile)内部应力,使得它紧压着电介质的悬突部分。以这样的方式,电介质层与导电通孔之间的间隙可以被进一步减小。
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