[发明专利]引入了局部应力的LDMOS器件

权利要求书

1.引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，其特征在于，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。

2.根据权利要求1所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底为P或N型材料；相应的阱区为P或N型材料，漂移区为N或P型材料，源区为N或P型材料，多晶硅为N或P型材料。

3.根据权利要求1所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，所述薄膜为氮化硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，所述薄膜的生成工艺是先在源区和/或栅极表面生长一层二氧化硅薄膜，再在二氧化硅薄膜上生长氮化硅薄膜；或不生长二氧化硅薄膜，直接生长氮化硅薄膜。

5.根据权利要求5中所述的局部应变LDMOS晶体管，其特征在于，所述二氧化硅膜的厚度为5～100nm。

6.根据权利要求3～5任意一项所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，采用低压化学汽相淀积法或等离子体增强化学汽相沉积法生长氮化硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，采用低压化学汽相淀积法生长的氮化硅薄膜的应力范围为0.1～10GPa，采用等离子体增强化学汽相沉积法生长的氮化硅薄膜的应力范围为-8～+8GPa。

8.根据权利要求6所述的引入了局部应力的LDMOS器件，其特征在于，所述氮化硅薄膜厚度为20nm～2μm。