[发明专利]一种单晶炉整体

说明书

技术领域

本发明涉及一种单晶炉整体。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。在人工晶体行业里广泛用到。一般硅单晶体制造方法如下：把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100m m左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，进行一定的保温冷却后就可以取出，但是在现有技术中，使用传统的炉子上不具有冷却系统，而炉子在制造过程中炉体温度比较高，损耗大，使用寿命短，碰到容易烫伤，存在安全隐患，而电机、驱动装置等许多部件都是老型号的部件，比较耗能，增加了成本，传统炉体长时间使用后，可能会泄漏，造成损失。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种安全节能、使用寿命长的单晶炉整体。

    为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种单晶炉整体，包括机架、炉底盘、下炉膛、上炉膛、炉盖、上炉体、水平调整支架、籽晶提升装置，所述的机架内设有空腔，空腔内安装有坩埚提升装置，机架上摆放有炉底盘，下炉膛和上炉膛连接在一起，摆放在炉底盘上，炉盖盖在上炉膛顶部，炉盖通过隔离阀腔连接上炉体，上炉体侧面通过提升架连接双立柱，上炉体上端设有延长筒，延长筒上方为水平调整支架，水平调整支架通过转轴连接籽晶提升装置。

所述的双立柱由主立柱焊接连接辅立柱构成。

所述的水平调整支架由底法兰、支撑杆、调节螺母、上法兰组成，上下法兰通过支撑杆连接支撑，支撑杆通过调节螺母调节高度。

所述的籽晶提升装置由链条、支撑板、丝杆螺母、限位挡片、丝杆组成，绕绳轮和主动链轮都套在电机的转轴上，从动链轮安装在滚动丝杆的一端，主动链轮与从动链轮通过链条连接在一起，通过螺丝固定有限位挡片的滑块套在丝杆螺母上，滚动丝杆穿过丝杆螺母两头架在支撑块内固定，滚动丝杆上方设有圆导轨，支撑块两端顶上通过螺钉固定有行程开关顶板。

所述的下炉膛、上炉膛、炉盖和上炉体都由内罩、外罩组成，内外罩之间形成冷却层。

所述的炉盖上设有观察窗。

本发明的下炉膛、上炉膛、炉盖和上炉体都由内罩、外罩组成，内外罩之间形成冷却层，冷却层内时刻流通冷水，降低炉体表面的问题，减少了设备的损耗程度，也提高了安全性，延长设备的使用寿命，此单晶炉的籽晶旋转及提拉密封均采用高品质的磁流体密封组件，无泄漏，长期使用不需充磁。本发明安全节能、使用寿命长、提高生产效率、降低生产成本，增加企业效益。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为图1的俯视图。

具体实施方式

如图1、2所示，一种单晶炉整体，包括机架1、炉底盘2、下炉膛3、上炉膛4、炉盖5、上炉体7、水平调整支架9、籽晶提升装置10，所述的机架1内设有空腔，空腔内安装有坩埚提升装置12，机架1上摆放有炉底盘2，下炉膛3和上炉膛4连接在一起，摆放在炉底盘2上，炉盖5盖在上炉膛4顶部，炉盖5通过隔离阀腔6连接上炉体7，上炉体7侧面通过提升架连接双立柱11，上炉体1上端设有延长筒8，延长筒8上方为水平调整支架9，水平调整支架9通过转轴连接籽晶提升装置。所述的双立柱11由主立柱焊接连接辅立柱构成。所述的水平调整支架11由底法兰、支撑杆、调节螺母、上法兰组成，上下法兰通过支撑杆连接支撑，支撑杆通过调节螺母调节高度。所述的籽晶提升装置10由链条、支撑板、丝杆螺母、限位挡片、丝杆组成，绕绳轮和主动链轮都套在电机的转轴上，从动链轮安装在滚动丝杆的一端，主动链轮与从动链轮通过链条连接在一起，通过螺丝固定有限位挡片的滑块套在丝杆螺母上，滚动丝杆穿过丝杆螺母两头架在支撑块内固定，滚动丝杆上方设有圆导轨，支撑块两端顶上通过螺钉固定有行程开关顶板。所述的下炉膛3、上炉膛4、炉盖5和上炉体7都由内罩、外罩组成，内外罩之间形成冷却层。所述的炉盖5上设有观察窗。本发明的下炉膛、上炉膛、炉盖和上炉体都由内罩、外罩组成，内外罩之间形成冷却层，冷却层内时刻流通冷水，降低炉体表面的问题，减少了设备的损耗程度，也提高了安全性，延长设备的使用寿命，此单晶炉的籽晶旋转及提拉密封均采用高品质的磁流体密封组件，无泄漏，长期使用不需充磁。本发明安全节能、使用寿命长、提高生产效率、降低生产成本，增加企业效益。