[发明专利]RC触发ESD保护器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

本征n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，连接在第一电压电势和电容器的第一端之间；

电阻元件，连接在所述第一电压电势和所述电容器的第一端之间；以及

所述电容器，具有连接至第二电压电势的第二端。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电容器通过并联连接的多个金属氧化物半导体(MOS)电容器形成。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电阻元件包括串联连接的多个p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，所述多个p型金属氧化物半导体晶体管中的每一个都具有连接至所述第二电压电势的栅极，并且

进一步包括：电阻器，连接在所述多个PMOS晶体管的栅极和所述第二电压电势之间。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电阻元件包括串联连接的多个NMOS晶体管，所述多个NMOS晶体管中的每一个都具有连接至所述第一电压电势的栅极，并且

进一步包括：电阻器，连接在所述多个NMOS晶体管的栅极和所述第一电压电势之间。

5.一种系统，包括：

放电晶体管，连接在第一电压电势和第二电压电势之间；

驱动电路，生成提供到所述放电晶体管的栅极端的输出信号；以及

触发器件，具有连接至所述驱动电路的输出端，包括：

本征n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，连接在所述第一电压电势和电容器的第一端之间；

电阻元件，连接在所述第一电压电势和所述电容器的第一端之间；以及

所述电容器，具有连接至所述第二电压电势的第二端。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述放电晶体管包括并联连接的多个NMOS晶体管，并且

其中，所述驱动电路包括串联连接的奇数个反相器。

7.根据权利要求5所述的系统，其中，所述放电晶体管包括并联连接的多个p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且

其中，所述驱动电路包括串联连接的偶数个反相器。

8.一种静电放电(ESD)箝位器，包括：

电阻电容(RC)触发电路，包括：

电容器，由多个金属氧化物半导体(MOS)电容器形成；以及

电阻元件，包括多个MOS晶体管和多个本征晶体管，其中，所述多个本征晶体管与所述多个MOS晶体管并联连接；

驱动电路，从所述RC触发电路接收ESD保护信号；以及

放电晶体管，具有连接至所述驱动电路的输出端的栅极。

9.根据权利要求8所述的ESD箝位器，其中，所述放电晶体管、所述RC触发电路、以及所述驱动电路连接在第一电压电势和第二电压电势之间，并且

其中，所述触发电路、所述驱动电路、以及所述放电晶体管被配置为使得：

当ESD尖峰信号被施加至所述第一电压电势时，电流从所述第一电压电势流过所述放电晶体管，直至所述第二电压电势；并且

当所述ESD箝位器处于上电操作时，所述放电晶体管截止。

10.根据权利要求8所述的ESD箝位器，其中，

当所述放电晶体管包括并联连接的多个n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管时，所述驱动电路包括奇数个反相器；并且

当所述放电晶体管包括并联连接的多个p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管时，所述驱动电路包括偶数个反相器。