[发明专利]具有多个读传感器的换能器头有效

专利信息
申请号: 201210040428.X 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN102646420A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 高凯中;O·赫诺尼恩;陈永华 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/008 分类号: G11B5/008;G11B5/58
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱慰民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 多个读 传感器 换能器头
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

使用固定于换能器头的多个读传感器中的至少一个来检测来自存储介质数据磁道的读信号。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

基于所述读信号,确定固定于所述换能器头的写磁极的位置。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

基于所述读信号,调整所述换能器头的径向定位。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读传感器中每一个读传感器的位置相对于写磁极具有沿所述数据磁道方向的独特偏移,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读传感器中每一个读传感器的位置相对于写磁极具有数据磁道方向偏移和横越磁道方向偏移的独特组合,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储介质数据磁道设置在存储介质的表面上,所述方法还包括:

基于所述换能器头相对于所述存储介质表面的径向定位,选择所述多个读传感器中的至少一个。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述多个读传感器中选择至少一个相比所述多个读传感器中一个或多个未被选择的读传感器具有相对较高信噪比的读传感器。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个读传感器中的至少一个个体的读传感器位于写磁极的上行磁道,并且所述多个读传感器中的至少一个其它的个体读传感器位于所述写磁极的下行磁道,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在回读操作过程中,将来自所述多个读传感器中的至少两个读传感器的读信号组合,所述组合提高了所述回读操作过程中由所述换能器头检测到的读数据的信噪比。

10.一种系统,包括:

换能器头;以及

固定于所述换能器头的多个读传感器。

11.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述读传感器被配置成检测来自存储介质的读信号。

12.如权利要求11所述的系统,其特征在于,被配置成基于所述读信号确定固定于所述换能器头的写磁极的位置。

13.如权利要求11所述的系统,其特征在于,被配置成基于所述读信号调整所述换能器头的径向定位。

14.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述读传感器中每一个读传感器的位置相对于写磁极具有独特的偏移,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

15.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述读传感器中每一个读传感器的位置相对于写磁极具有数据磁道方向偏移和横越磁道方向偏移的独特组合,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

16.如权利要求10所述的系统,其特征在于,存储介质数据磁道设置在存储介质的表面上,并且基于所述换能器头相对于存储介质表面的径向定位来选择所述多个读传感器中的至少一个。

17.如权利要求10所述的系统,其特征在于,基于所述多个读传感器中的至少一个读传感器检测到相比所述多个读传感器中一个或多个未被选择的传感器具有相对较高信噪比,选择所述至少一个读传感器。

18.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述多个读传感器中的至少一个位于写磁极的上行磁道,并且所述多个读传感器中的至少一个其它读传感器位于所述写磁极的下行磁道,其中所述写磁极固定于所述换能器头。

19.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述换能器头被配置成在回读操作过程中将来自至少两个读传感器的读信号组合,所述组合提高了所述回读操作过程中由所述换能器头检测到的读数据的信噪比。

20.一种系统,包括:

存储介质,所述存储介质包括在所述存储介质的内径和外径之间的多个同心的数据磁道;

换能器头;

固定于所述换能器头的多个读传感器;以及

固定于所述换能器头并相对于每一读传感器独特定位的写磁极,其中当所述换能器头位于所述存储介质的内径和外径之间时,所述多个读传感器中的至少一个对准于与所述写磁极相同的数据磁道,不管所述换能器头是否与所述数据磁道对准。

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