[发明专利]具有多个读传感器的换能器头有效
申请号: | 201210040428.X | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102646420A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 高凯中;O·赫诺尼恩;陈永华 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/008 | 分类号: | G11B5/008;G11B5/58 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多个读 传感器 换能器头 | ||
发明内容
一种换能器头,其包括写磁极和所处位置离开写磁极具有偏移的多个读传感器。偏移可代表沿数据磁道方向的距离和/或沿横越数据磁道方向的距离。
提供本发明内容以便以简化的形式介绍将在以下具体实施方式中进一步描述的一些概念。本发明内容并不旨在标识所要求保护主题的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求保护主题的范围。所要求保护主题的其它特征、细节、用途以及优势将从下面更具体的对各种实现的书面描述以及如附图中进一步示出和在所附权利要求书中进一步定义的实现中清楚地知道。
附图简述
所描述的技术可从下面结合附图对各种实现的详细说明中得到最好的理解。
图1示出具有多个读传感器的示例性换能器头的平面图。
图2示出具有多个读传感器的示例性换能器头的透视图,所述读传感器位于写磁极的上行磁道。
图3A和3B示出在读传感器组中具有多个读传感器的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组位于写磁极的上行磁道。
图4A和4B示出具有多个读传感器组的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组中的每一个组具有多个读传感器并位于写磁极的下行和上行磁道。
图5A和5B示出具有多个读传感器组和多个读屏蔽物的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组位于写磁极的上行磁道。
图6示出一流程图,该流程图示出了使用多个读传感器以适应换能器头与存储介质的各种对准从而在写过程中维持一致的数据磁道的示例性操作。
具体实施方式
在通过换能器头对硬盘驱动器作写操作的过程中,换能器头可使用读传感器对包含位置信息的基准磁道进行读取。基于由读传感器从存储介质检测到的读信号,存储系统(例如硬盘驱动器)可确定读传感器相对于存储介质的位置,并因此确定写磁极相对于换能器头上的读传感器定位的位置。如此,读传感器有益于维持写磁极与存储介质上的目标数据磁道的对准。
在一些实现中,基准磁道与目标数据磁道是同一磁道并存储位置信息,该位置信息由读传感器读出以确定写磁极在目标数据其它地方的位置。在一种替代实现中,基准磁道与目标数据磁道(例如专用基准磁道或另一数据磁道)隔开并存储由读传感器读出的位置信息以确定写磁极相对于目标数据磁道的位置。在两种实现中,由读传感器读出的位置信息可用来管理由写磁极产生的写信号的位置和时序。
然而,在某些情况下,数据磁道和换能器头之间的夹角可改变写磁极和特定读传感器之间相对于存储介质上的一个或多个磁道的对准。如果当头跨越存储介质的表面从内径(ID)向外径(OD)移动时读传感器/写磁极的对准没有实质变化,则认为读传感器和写磁极保持着相对一致的磁道。相反,即使对准中的微小变化也能造成不一致的循迹并因此妨碍在具有高磁道密度的磁性记录盘上读写数据。然而,被描述的技术为单个换能器头提供了多个读传感器,由此显著增加了在任何操作角的情况下多个读传感器中的一个或多个将对准在对于写磁极合适的基准磁道上的可能性。
位图案化介质(BPM)被构想成为用于显著增加面密度的一个选项,该种介质涉及一种用于将数据记录在被结构性地形成在存储介质中的磁性单元一致性阵列中的磁存储技术。BPM单元可通过各种过程被预图案化,例如但不局限于,光刻法、离子铣削等。例如,每个磁性单元可使用光刻法预布图在存储介质中,通过光刻法使用高分辨率电子束来记录掩模图案。掩模图案用来对沉积在存储介质表面上的磁性材料选择性地蚀刻磁性单元。在一种实现中,每个磁性单元存储单个位并通过存储介质一有限的非磁性区与所有其它单元隔开。
随着面密度的增加,使换能器头的读传感器和写磁极保持对准在目标数据磁道上会变得更具挑战性,尤其对于BPM所提供的尺寸而言。例如,写磁极和读传感器在数据磁道方向上的距离可以比BPM上的相应距离大一个数量级。
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