[发明专利]近场光产生元件的制造方法和近场光产生元件

说明书

技术领域

本发明涉及利用光、尤其是近场光来将各种信息记录于记录介质的记录头所搭载的近场光产生元件的制造方法和近场光产生元件。

背景技术

近几年，信息处理设备中的信息记录再现装置，被要求在将装置本身小型化的基础上进行更大量的信息的记录再现。因此，记录信息的介质、例如硬盘驱动器的磁介质等密度逐年提高。为了响应这样的记录密度的高密度化，有必要使作为一个记录单位的磁畴(设在记录介质上的小的磁体)更小且接近，但如果缩小，则由于相邻的磁畴的影响或周围的热能等而发生已进行记录的磁畴无意地反转的现象。为了抑制这样的现象，将顽磁强的材料用于记录介质。顽磁强的记录介质抑制无意的反转现象，取而代之如果在记录时不施加更大的磁场则不能使磁畴反转，变得难以记录。

为了消除这样的不良状况，提倡这样的方式：通过照射光，从而仅使进行记录的磁畴加热升温，使顽磁力下降，进行重写记录。由于逐年进步的记录密度的上升，因而进行记录的磁畴本身变得非常小，因此，要求聚光为在现有的光学系统中被作为极限的光的波长以下的大小并加热。为了实现这点，利用近场光，由此，能够聚光为更微小的区域并加热，据称能够实现超过现有的信息记录再现装置等的高的记录密度。

在使用这样的光辅助磁记录方式来记录信息的头中，需要产生高强度的近场光的元件和设在该元件的极近处并且重写介质的信息的磁头。尤其重要的是以高强度产生近场光的元件。作为这样的近场光产生元件提出有各种构成。作为一个示例，可举出专利文献1和专利文献2所示出的构成。以与第一光波导介质(芯)接触的方式设置第二光波导介质(包层)，以相比第一光波导介质的低折射率构成第二光波导介质。以经由该第一光波导介质而被光照射的方式设置平面状的微细的三角形的散射体(近场光产生元件)。这样的构造的近场光产生元件由于不使用透镜等就能够从芯直接光照射散射体，因而在芯中不发生大的极化。由于不发生大的极化，因而不会消除在散射体表面聚集的电荷的效果，能够产生高强度的近场光。

专利文献1：日本特开2007-280572号公报图2

专利文献2：日本特开2007-128573号公报图3

发明内容

这样的近场光产生元件是由芯端面为一条边几百nm、散射体一条边一百几十nm、厚度几十nm的极微小的构造物构成的元件。因此，可以考虑到，对生成近场光的散射体要求至少几nm～十nm左右的高的尺寸精度。另外，在上述专利文献中公开了由于芯、包层以及散射体的相对位置关系而导致所生成的近场光的强度大幅变动的情况。然而，在上述专利文献中未公开实现这样的几nm～几十nm的位置和尺寸精度的制造方法。

于是，本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供能够高精度地制造芯、包层以及散射体的相对位置、散射体的尺寸的近场光产生元件的制造方法，另外，提供依据该制造方法制造的近场光产生元件。

为了达成上述目的本发明提供以下的方案。

本发明的近场光产生元件的制造方法，其特征在于，具备：包层成膜工序，将包层成膜于基板；第1槽形成工序，在包层形成第1槽；第2槽形成工序，在包层沿着第1槽的长度方向形成第2槽；金属构造物形成工序，在第1槽内部形成金属构造物；芯形成工序，在第2槽内部设置相比所述包层的高折射率材料的芯；以及散射体形成工序，通过将金属构造物相对于基板平面而垂直地切断并研磨该切断面来形成散射体。

依据这样的特征，能够以期望的位置关系制造生成近场光的散射体与将光供给至散射体的光波导(芯和包层)的光轴的相互位置关系。因此，能够效率良好地生成近场光。而且，由于在通过研磨形成散射体时，能够保持埋没于包层或芯原样地研磨，因而能够没有破损地形成散射体。而且，由于能够利用真空薄膜制造技术，因而能够成批地制造多个元件，能够实现大量且低成本的近场光产生元件的制造方法。

另外，本发明的近场光产生元件的制造方法特征在于：在第1槽形成工序中，将与第1槽嵌合的第1模具压接于包层，形成第1槽。

另外，本发明的近场光产生元件的制造方法特征在于：在包层成膜工序之后具有至少在包层上形成抗蚀剂的抗蚀剂形成工序，在第1槽形成工序中，将与第1槽嵌合的第1模具压接于抗蚀剂，在抗蚀剂形成与第1槽大致相同形状的槽，蚀刻与第1槽大致相同形状的槽，由此在包层形成第1槽。

另外，本发明的近场光产生元件的制造方法特征在于，第1槽形成工序利用切割刀片来形成第1槽。

另外，本发明的近场光产生元件的制造方法特征在于：在第2槽形成工序中，将与第2槽嵌合的第2模具压接于包层，形成第2槽。