[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210040502.8 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103296080A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 朱建文;陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一衬底；
一第一源/漏极区，形成于该衬底中；
一第二源/漏极区，形成于该衬底中；
一第一叠层结构，位于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上，其中该第一叠层结构包括一第一介电层与一第一导电层，该第一导电层位于该第一介电层上；以及
一第二叠层结构，位于该第一叠层结构上，其中该第二叠层结构包括一第二介电层与一第二导电层，该第二导电层位于该第二介电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层的厚度小于该第二介电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括多个互相分开的绝缘结构，位于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该第二介电层的厚度小于该绝缘结构的厚度。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该第一叠层结构具有多个互相分开的凸出部，对应地延伸至该多个绝缘结构上。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该第二叠层结构具有多个互相分开的凸出部，对应地延伸至该多个绝缘结构上。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第二叠层结构的该凸出部是延伸在该绝缘结构与该第一叠层结构之间的该衬底上。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一叠层结构具有多个互相分开的凸出部，延伸超过该第二叠层结构。
9.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一第一源/漏极区于一衬底中；
形成一第二源/漏极区于该衬底中；
形成一第一介电层于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上，并形成一第一导电层于该第一介电层上，以形成一第一叠层结构；以及
形成一第二介电层于该第一叠层结构的该第一导电层上，并形成一第二导电层于该第二介电层上，以形成一第二叠层结构。
10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，更包括形成多个互相分开的绝缘结构于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上，其中该第一叠层结构或该第二叠层结构具有多个互相分开的凸出部，对应地延伸至该多个绝缘结构上。
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