[发明专利]具有银含量可控的焊料接合区域的半导体封装件在审
| 申请号： | 201210040864.7 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066050A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郑明达;黄贵伟;蔡钰芃;陈正庭;林修任;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 含量 可控 焊料 接合 区域 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
工件，包括导电迹线；以及
芯片，包括凸块结构，
其中，所述芯片附接至所述工件，并且所述凸块结构电连接至所述导电迹线，从而形成迹线上凸块(BOT)互连结构；以及
其中，所述BOT互连结构包括焊料区域，并且所述焊料区域中的银(Ag)含量不超过1.8重量百分比(wt％)。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述焊料区域中的银含量在0.5重量百分比至1.8重量百分比之间。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述焊料区域中的银含量在0.5重量百分比至1.0重量百分比之间。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述焊料区域中的银含量在1.1重量百分比至1.5重量百分比之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构是伸长的形状。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构包括导电柱。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述导电柱包括铜。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述工件包括电介质衬底，并且所述导电迹线包括铜。
9.一种半导体封装件，包括：
工件，包括导电迹线；以及
芯片，包括：导电柱和所述导电柱上方的焊料层，
其中，所述芯片附接至所述工件，并且所述导电柱通过所述焊料层电连接至所述导电迹线，
其中，所述焊料层中的银(Ag)含量在0.5重量百分比至1.8重量百分比之间。
10.一种方法，包括：
容纳半导体衬底，所述半导体衬底包括伸长的导电柱；
在所述伸长的导电柱上方形成焊料层，其中，所述焊料层中的银(Ag)含量在0.5至1.8重量百分比之间；
容纳电介质衬底，所述电介质衬底包括导电迹线；以及
将所述半导体衬底附接至所述电介质衬底，并且通过所述焊料层将所述伸长的导电柱电连接至所述导电迹线。
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