[发明专利]测试探针板有效
| 申请号： | 201210042555.3 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103000546A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭永炘;洪文兴;姚博熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R1/073 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 探针 | ||
1.一种用于制造半导体测试探头的方法，包括：
提供由导电材料制成的工件；
使用电火花配线在第一轴方向上切割所述工件中的多个第一通道；
使用所述电火花配线在第二轴方向上切割所述工件中的多个第二通道，所述第一通道和所述第二通道交叉，并在所述第一通道和所述第二通道之间的交点处形成限定测试探针的多个柱；以及
将所述探针连接至形成在支持衬底中的电导体，所述探针和衬底限定测试探头。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用电火花机床中的反向配线电火花加工(R-WEDM)执行切割所述第一通道和所述第二通道。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连接的步骤包括使用焊接回流工艺经由焊料块将所述探针焊接至导体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述衬底包括硅，并且所述导体通过多个金属硅通孔形成。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个柱通过公共支持基底获得支持并从所述公共支持基底伸出，在切割所述第一通道和所述第二通道期间，所述公共支持基底与来自所述工件的测试探针柱集成形成。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述测试探针的每一个均在单个操作中同时被焊接至所述支持衬底中的对应导体。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：在将所述测试探针焊接至所述支持衬底中的导体之后，将所述测试探针与所述公共支持基底切断。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用电火花配线切断所述公共支持基底。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测试探针被加长，且横穿所述探针的长度看所述测试探针的形状为直线截面形。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述测试探针具有大约20微米的最大横穿宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
