[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210043469.4 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103296067A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一第一掺杂区，具有一第一导电型；
一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型；
一掺杂条纹，形成于该第一掺杂区中，并具有该第二导电型；以及
一顶掺杂区，形成于该掺杂条纹中，并具有该第一导电型，其中该顶掺杂区具有相对的一第一侧边与一第二侧边，该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边或该第二侧边。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该掺杂条纹具有相对的一第三侧边与一第四侧边，该顶掺杂区的该第一侧边或该第二侧边是位于该掺杂条纹的该第三侧边与该第四侧边之间。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中多个该掺杂条纹是通过该第一掺杂区互相分开。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该顶掺杂区形成于该第一掺杂区中。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边与该第二侧边两者。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：
一第一掺杂电极区，形成于该第一掺杂区中；以及
一第二掺杂电极区，形成于该第二掺杂区中。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第一掺杂电极区与该第二掺杂电极区具有该第一导电型。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括一栅极结构，位于该第一掺杂区与该第二掺杂电极区之间的该第二掺杂区上。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第一掺杂电极区具有该第二导电型，该第二掺杂电极区具有该第一导电型。
10.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一第二掺杂区于一第一掺杂区中，其中该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂区具有相对于该第一导电型的一第二导电型；
形成一掺杂条纹于该第一掺杂区中，其中该掺杂条纹具有该第二导电型；以及
形成一顶掺杂区于该掺杂条纹中，其中该顶掺杂区具有该第一导电型，该顶掺杂区具有相对的一第一侧边与一第二侧边，该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边或该第二侧边。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210043469.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
