[发明专利]具有光电池的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一光电池，包括：

相对配置的一第一载体与一第二载体；

一第一导电孔及一第二导电孔，形成于该第一载体与该第二载体之一中；及

多个电池单元，形成于该第一载体与该第二载体之间；以及

一半导体元件，通过该第一导电孔及该第二导电孔电性连接于该些电池单元。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一载体与该第二载体之一包括：

一基板，具有相对的一第一面与一第二面；以及

一导电膜，形成于该基板的该第一面上；

其中，该第一导电孔及该第二导电孔从该基板的该第二面贯穿至该第一面，以电性连接于该导电膜。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电孔与该第二导电孔相邻配置。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电孔与该第二导电孔的位置分别对应于相邻的二该电池单元。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一载体及该第二载体之一包括至少二子导电膜，该第一导电孔及该第二导电孔的位置分别对应于该至少二子导电膜。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该至少二子导电膜中至少一者各具有一延伸部，且该第一导电孔与第二导电孔之一的位置对应于该延伸部。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电孔沿一电性路径电性连接于该第二导电孔，其中该电性路径呈环状。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该电性路径呈矩形。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各该电池单元包括：

相对配置的一第一电极与一第二电极，其中该第一电极形成于该第一载体与该第二载体之一上，而该第二电极形成于该第一载体与该第二载体之另一上；

一光敏染料，形成于该第一电极中；

一隔离件，隔离该第一载体与该第二载体，且围绕相对应的该第一电极与该第二电极；以及

一电解液，填充于该隔离件内。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成多个第一电极与多个第二电极于一第一载体及一第二载体上，其中，一光敏染料形成于该些第一电极中；

形成多个隔离件于该第一载体与该第二载体之间，其中各该隔离件围绕对应的该第一电极或对应的该第二电极；

填充一电解液于各该隔离件内；

对接该第一载体与该第二载体，其中各该第一电极与对应的该第二电极相对配置，且该些隔离件隔离该第一载体与该第二载体；

形成一第一导电孔及一第二导电孔于该第一载体与该第二载体之一中；以及

设置一半导体元件电性连接于该第一导电孔及该第二导电孔。