[发明专利]具有光电池的半导体结构及其制造方法无效
申请号: | 201210044048.3 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102544377A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 杨俊洋 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48;H01G9/20;H01G9/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 光电池 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法,且特别是有关于一种具有光电池的半导体结构及其制造方法。
背景技术
光电池(或称太阳能电池)是一种利用光直接发电的光电半导体薄片。光电池只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流。其中一种染料敏化太阳电池(Dye-sensitized solar cell,DSSC)是最近被开发出来的崭新太阳电池。染料敏化太阳电池通常以导线自染料敏化太阳电池往外连接于外部电器元件。
然而,由于导线具有一定长度,故增加了染料敏化太阳电池与外部电器元件之间的阻抗。
发明内容
本发明有关于一种半导体结构,其光电池与半导体元件之间的距离短,可降低阻抗值。
根据本发明,提出一种半导体结构。半导体结构包括一光电池及一半导体元件。光电池包括相对配置的一第一载体与一第二载体、一第一导电孔、一第二导电孔及数个电池单元。第一导电孔及第二导电孔形成于第一载体与第二载体之一中。电池单元形成于第一载体与第二载体之间。半导体元件通过第一导电孔及第二导电孔电性连接于电池单元。
根据本发明,提出一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成数个第一电极与数个第二电极于一第一载体及一第二载体上,其中,一光敏染料形成于该些第一电极中;形成数个隔离件于第一载体与第二载体之间,其中各隔离件围绕对应的第一电极或对应的第二电极;填充一电解液于各隔离件内;对接第一载体与第二载体,其中各第一电极与对应的第二电极相对配置,且隔离件隔离第一载体与第二载体;形成一第一导电孔及一第二导电孔于第一载体与第二载体之一中;以及,设置一半导体元件电性连接于第一导电孔及第二导电孔。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1A绘示依照本发明一实施例的半导体结构的局部剖视图。
图1B绘示图1A的半导体结构的分解图。
图2绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的局部剖视图。
图3绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的分解图。
【主要元件符号说明】
100、200、300:半导体结构
110:光电池
111:第一载体
111u、112u:第一面
111b、112b:第二面
1111:第一基板
1112:第一导电膜
1112’:第一子导电膜
1112”:第二子导电膜
1122’:第三子导电膜
1122”:第四子导电膜
1113:延伸部
112:第二载体
1121:第二基板
1122:第二导电膜
113:第一导电孔
114:第二导电孔
115:电池单元
1151:第一电极
1152:第二电极
1153:光敏染料
1154:隔离件
1155:电解液
120:半导体元件
121:电性接点
P:电性路径
具体实施方式
请参照图1A,其绘示依照本发明一实施例的半导体结构的局部剖视图。半导体结构100包括光电池110及半导体元件120。
光电池110电性连接于半导体元件120,光电池110可作为半导体元件120的电源,使半导体结构100成为一自供电的半导体结构。
半导体元件120可以是各种芯片或各种型式的封装件,例如,半导体元件120可为堆迭封装(package on package)、平面相邻封装(side by side package)或堆迭芯片封装(stacked die package)。
光电池110包括相对配置的第一载体111与第二载体112、第一导电孔113、第二导电孔114及数个电池单元115。
第一载体111包括第一基板1111及第一导电膜1112。
第一基板1111可由塑胶材料或玻璃制程。其中,塑胶材料可选自于由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、聚酰亚胺(PI)、三醋酸甘油酯(TAC)、聚氯乙烯(PVC)及其组合所构成的群组。此外,第一基板1111具有相对的第一面111u与第二面111b。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择