[发明专利]一种在玻璃基板上沉积致密钛酸锶钡薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210044202.7 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102534610A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;韩伟光;程蕾 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 基板上 沉积 致密 钛酸锶钡 薄膜 方法 | ||
1.一种在玻璃基板上沉积致密钛酸锶钡薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：配置前驱液溶液：将Ba(NO3)2，Sr(NO3)2，(NH4)2TiF6，H3BO3分别放入4个烧杯中；然后向4个烧杯中分别加入去离子水，超声波振荡均匀，振荡后将四种溶液倒入一个烧杯中，定容使Ba(NO3)2的浓度为0.002mol/L，Sr(NO3)2的浓度为0.008mol/L，(NH4)2TiF6的浓度为0.01mol/L，H3BO3的浓度为0.03mol/L；最后置于磁力搅拌器上搅拌均匀，然后滴加稀硝酸调节pH值为2.0～3.1，使溶液澄清透明即得前驱液溶液；
步骤2：将配置好的前驱液溶液联同烧杯放入真空箱中进行真空处理，开启真空泵，真空压力调节为-0.2Kg/cm2，抽真空时间为30-60mins，至使前驱液溶液没有气泡排出；
步骤3：将有OTS单分子膜的亲水性玻璃基板放入真空处理后的前驱液溶液中进行薄膜的自组装生长，沉积温度为50℃，沉积时间为18～24h，沉积完成后将玻璃基板在120℃干燥12h；
步骤4：最后将沉积好的薄膜于600℃条件下进行2h的退火处理；得到致密的钛酸锶钡薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤3和步骤4之间还包括以下步骤：
步骤3.1：重复步骤1、2，然后将上一次进行薄膜的自组装生长后的玻璃基板放入真空处理后的前驱液溶液中进行薄膜的自组装生长，沉积温度为50℃，沉积时间为18～24h，沉积完成后将玻璃基板在120℃干燥12h。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤4退火处理之前，重复步骤3.1若干次。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤4退火处理之前，重复步骤3.1三至四次。
5.一种在玻璃基板上沉积致密钛酸锶钡薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：配置前驱液溶液：将0.0002mol Ba(NO3)2，0.0008mol Sr(NO3)2，0.001mol(NH4)2TiF6，0.003mol H3BO3分别放入4个烧杯中；然后向4个烧杯中分别加入去离子水，超声波振荡10min，振荡后将四种溶液倒入一个烧杯中，定容至100ml；最后置于磁力搅拌器上搅拌10min，振荡完后取下；滴加稀硝酸调节pH值为3.1，使溶液澄清透明即得前驱液溶液；
步骤2：将配置好的前驱液溶液联同烧杯放入真空箱中，开启真空泵，真空压力调节为-0.2Kg/cm2，抽真空时间为45mins，至溶液没有气泡排出；
步骤3：将有OTS单分子膜的亲水性玻璃基板放入步骤2处理后的前驱液溶液中进行薄膜的自组装生长，沉积温度为50℃，沉积时间为24h，沉积完成后将玻璃基板在120℃干燥12h；
步骤4：重复步骤1、2，将前面吸附有前驱液溶液的玻璃基板置于没有气泡的前驱液中，液相自组装吸附薄膜，沉积温度为50℃，沉积时间为24h，沉积完成后将玻璃基板在120℃干燥12h；重复以上过程三次；
步骤5：最后将沉积好的薄膜于600℃条件下进行2h的退火处理；得到致密的钛酸锶钡薄膜。
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