[发明专利]基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于，所述基于混合晶向SOI的器件系统制备方法至少包括：

1)制备(110)/100)全局混晶SOI结构；

2)在所述全局混晶SOI结构上形成100)外延图形窗口；

3)在所述100)外延图形窗口处选择性外延生长100)硅，并使外延100)硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；

4)在外延100)硅后的结构上形成隔离器件的隔离结构；

5)在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构。

2.根据权利要求1所述的基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于：当所述低压器件结构包括多个时，各低压器件结构之间的隔离结构包括LOCOS隔离结构和/或STI隔离结构。

3.根据权利要求1所述的基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于：高压器件之间的隔离结构以及高压与低压器件之间的隔离结构均包括STI隔离结构。

4.一种基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于，所述基于混合晶向SOI的器件系统结构至少包括：

形成于(110)/(100)混晶SOI结构的(110)衬底部分的P型高压器件结构；

形成于(110)/(100)混晶SOI结构的(100)衬底部分的N型高压器件结构和/或低压器件结构；以及

隔离各器件的隔离结构。

5.根据权利要求4所述的基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于：当所述低压器件结构包括多个时，各低压器件结构之间的隔离结构包括LOCOS隔离结构和/或STI隔离结构。

6.根据权利要求4所述的基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于：高压器件之间的隔离结构以及高压与低压器件之间的隔离结构均包括STI隔离结构。

7.根据权利要求4所述的基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于：高压器件所包含的沟道的结构包括以下至少一项：圆环形沟道、跑道形环状沟道、矩形环状沟道、及直条状沟道结构。

8.根据权利要求7所述的基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于：(110)硅衬底上的P型高压器件的直条状沟道结构和/或环状沟道的直道部分沿<110>晶向。

9.一种基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于，所述基于混合晶向SOI的器件系统制备方法至少包括：

1)制备(100)/(110)全局混晶SOI结构；

2)在所述全局混晶SOI结构上形成(110)外延图形窗口；

3)在所述(110)外延图形窗口处选择性外延生长(110)硅，并使外延(110)硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；

4)在外延(110)硅后的图形化混晶SOI结构上形成隔离器件的隔离结构；

5)在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在(100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构。

10.根据权利要求9所述的基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于：当所述低压器件结构包括多个时，各低压器件结构之间的隔离结构包括LOCOS隔离结构和/或STI隔离结构。

11.根据权利要求9所述的基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于：高压器件之间的隔离结构以及高压与低压器件之间的隔离结构均包括STI隔离结构。

12.一种基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于，所述基于混合晶向SOI的器件系统结构至少包括：

形成于(100)/(110)混晶SOI结构的(110)衬底部分的P型高压器件结构；

形成于(100)/(110)混晶SOI结构的(100)衬底部分的N型高压器件结构和/或低压器件结构；以及

隔离各器件的隔离结构。

13.根据权利要求12所述的基于混合晶向SOI的器件系统结构，其特征在于：当所述低压器件结构包括多个时，各低压器件结构之间的隔离结构包括LOCOS隔离结构和/或STI隔离结构。