[发明专利]带有复合钝化膜的大功率器件

说明书

技术领域

 本发明涉及一种大功率器件，尤其是PN结表面带有多层防护的大功率器件，具体地说是一种带有复合钝化膜的大功率器件。

 

背景技术

目前，大功率器件的PN结表面通常采用单一的玻璃钝化防护工艺，只有一层玻璃防护层，不具有自动调节、补偿、屏蔽、消除的功能，不能有效消除击穿电压的突变现象，器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下不能长时间工作。

 

发明内容

本发明的目的是针对现有的大功率器件的PN结表面通常采用单一的玻璃钝化防护工艺，只有一层玻璃防护层，不能有效消除击穿电压的突变现象，器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下不能长时间工作的问题，提出一种带有复合钝化膜的大功率器件。

本发明的技术方案是：

一种带有复合钝化膜的大功率器件，在大功率器件的PN结表面，从内至外依次为多晶硅薄膜、掺氧多晶硅薄膜SIPOS、玻璃和氧化硅薄膜。

本发明的多晶硅薄膜为多晶硅层，厚度为200~400?m。

本发明的掺氧多晶硅薄膜SIPOS的厚度为5000~10000 ?m。

本发明的氧化硅薄膜为二氧化硅层，厚度为4000~10000 ?m。

本发明的有益效果：

本发明的带有复合钝化膜的大功率器件，相比于传统的PN结表面单一玻璃钝化防护层的结构，采用PN结表面多层防护结构，由于其对于界面所有电荷具有自动调节、补偿、屏蔽、消除作用，彻底消除了击穿电压突变现象，使器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下也能长时间工作；并且相比传统的PN结表面玻璃钝化层可提高PN结的击穿电压。

 

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图中：1、多晶硅薄膜；2、掺氧多晶硅薄膜SIPOS；

3、玻璃；4、氧化硅薄膜。

 

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示，一种带有复合钝化膜的大功率器件，在大功率器件的PN结表面，从内至外依次为多晶硅薄膜1、掺氧多晶硅薄膜SIPOS2、玻璃3和氧化硅薄膜4。

本发明的多晶硅薄膜1为多晶硅层，厚度为200~400?m；掺氧多晶硅薄膜SIPOS2的厚度为5000~10000 ?m；氧化硅薄膜4为二氧化硅层，厚度为4000~10000 ?m。

具体实施时：

用机械割槽或化学腐蚀的方法暴露出PN结表面,在其表面先用LPCVD方法生长一层二氧化硅层再在上面生长一层SIPOS层,然后在上面覆盖一层玻璃层最后在外表面用LPCVD方法生长一层二氧化硅层,该工艺相比于传统的PN结表面单一玻璃钝化防护工艺，采用PN结表面多层防护工艺技术，由于其对于界面所有电荷具有自动调节、补偿、屏蔽、消除作用，彻底消除了击穿电压突变现象，使器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下也能长时间工作；并且相比传统的PN结表面玻璃钝化防护工艺可提高PN结的击穿电压。

本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。