[发明专利]用于集成电路对准的结构设计和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

管芯，包括：集成电路区域；装配隔离区域，围绕所述集成电路区域；以及密封环区域，围绕所述装配隔离区域；以及

管芯对准标记，被设置在所述密封环区域或所述装配隔离区域内。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述管芯对准标记没有被设置在所述密封环区域或所述装配隔离区域的角部中。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述管芯对准标记包括临界尺寸均匀图案，所述临界尺寸均匀图案包括：有源OD层、多晶硅POLY层、接触CO层、金属Mx层、以及通孔Vx层。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述管芯对准标记包括：框中框对准图案。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述管芯对准标记包括：形成在有源OD层、多晶硅POLY层、和/或接触CO层中的至少一种套刻标记。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

划线，限定曝光区域的周界；以及

曝光区域对准标记，被设置在限定所述曝光区域的所述周界的划线内。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：多个管芯对准标记，被设置在所述密封环区域或所述装配隔离区域内。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，设置在所述密封环区域内的所述多个管芯对准标记被交替地设置为与所述密封环区域的外部边缘以及所述密封环区域的内部边缘邻近。

9.一种半导体器件，包括：

多个曝光区域；

多个管芯，位于每个曝光区域内，其中，每个管芯包括：集成电路区域；装配隔离区域，围绕所述集成电路区域；以及密封环区域，围绕所述装配隔离区域；

划线，限定每个曝光区域和每个管芯；

曝光区域对准标记，用于每个曝光区域；以及

管芯对准标记，用于每个管芯，所述管芯对准标记被设置在每个管芯的密封环区域或装配隔离区域内。

10.一种方法，包括：

提供半导体器件；

在所述半导体器件上限定区域，其中，通过划线限定所述区域的周界；

限定在所述区域内的管芯区域，其中，每个管芯区域包括：集成电路区域；装配隔离区域，围绕所述集成电路区域；以及密封环区域，围绕所述装配隔离区域；

在所述密封环区域或所述装配隔离区域内形成管芯对准标记。