[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器有效
申请号: | 201210046656.8 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102645805A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 张金中 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/22;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶显示器 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括基板;
由靠近基板到远离基板的方向,在基板上依次设置有控制电极层、巨磁电阻层、绝缘层、像素电极层和信号电极层,其中,控制电极层、巨磁电阻层和绝缘层共同构成巨磁电阻有源矩阵;
针对每个像素区域,信号电极层与巨磁电阻层相连,像素电极层与巨磁电阻层相连;
所述巨磁电阻层包括由靠近基板到远离基板的方向依次设置的反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层,反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间是反铁磁耦合,铁磁被钉扎层和软磁层之间是铁磁性耦合。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述控制电极层的材料为氧化铟锡。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反铁磁钉扎层的材料为锰化铱、锰化镍、氧化镍或锰化铁。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述铁磁被钉扎层的材料为铁化钴、钴、铁、铁化镍或钴化镍。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非磁隔离层的材料为铝、三氧化二铝、钽、铜或铬。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述软磁层的材料为铁化钴、钴、铁、铁化镍或钴化镍。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层上设置有两个过孔,所述信号电极层通过一个过孔与巨磁电阻层相连,所述像素电极层通过另一个过孔与巨磁电阻层相连。
8.一种液晶显示器,其特征在于,该液晶显示器包括一个如权利要求1~6任一所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,该方法包括:
在基板上沉积透明导电膜,在所述透明导电膜上形成控制电极层图形,并将所述控制电极层图形晶化;
在带有控制电极层图形的基板上依次沉积反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层,并形成巨磁电阻层图形;
在带有控制电极层图形和巨磁电阻层图形的基板上沉积绝缘层,针对每个像素区域,在所述绝缘层上形成两个过孔;
在带有控制电极层图形、巨磁电阻层图形、具有过孔的绝缘层的基板上继续沉积透明导电膜,在所述透明导电膜上形成像素电极层图形,针对每个像素区域,像素电极层通过绝缘层上的一个过孔与巨磁电阻层相连,并将所述像素电极层图形晶化;
在带有控制电极层图形、巨磁电阻层图形、具有过孔的绝缘层、像素电极层图形的基板上沉积信号电极层,并形成信号电极,针对每个像素区域,信号电极层通过绝缘层上的另一个过孔与巨磁电阻层相连。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在带有控制电极层图形的基板上依次沉积反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层,具体包括:
通过磁控溅射方法,依次沉积反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层。
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