[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器。

背景技术

传统的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin-Film Technology Liquid Crystal Display)以其低功耗低辐射的特点，在平板显示器市场上占据了主导地位。TFT-LCD的核心部件是薄膜晶体管TFT电极，由于多晶硅TFT电极制备工艺复杂，不能大面积制备等缺点，目前TFT-LCD使用的绝大多数为氢化非晶硅薄膜晶体管。

但是氢化非晶硅TFT特性较差，尤其是开态电流(Ion)偏低，导致液晶显示器的Ion特性较差，且液晶显示器的充电速度较慢；并且氢化非晶硅对光照很敏感，稳定性不高，为保障TFT特性，氢化非晶硅的开口率较低，由此导致在液晶显示器的单元象素内，实际可透光区的面积与单元象素总面积的比率较低，使得液晶显示器的亮度受到影响。

综上所述，需要寻求新的结构来提高液晶显示器的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器，用以解决现有的LCD的Ion特性较差、充电速度较慢以及亮度较低的问题。

一种阵列基板，该阵列基板包括基板；

由靠近基板到远离基板的方向，在基板上依次沉积有控制电极层、巨磁电阻层、绝缘层、像素电极层和信号电极层，其中，控制电极层、巨磁电阻层和绝缘层共同构成巨磁电阻有源矩阵；

针对每个像素区域，信号电极层与巨磁电阻层相连，像素电极层与巨磁电阻层相连；

所述巨磁电阻层由靠近基板到远离基板的方向，依次包括反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层，反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间是反铁磁耦合，铁磁被钉扎层和软磁层之间是铁磁性耦合。

一种阵列基板的制备方法，该方法包括：

在基板上沉积透明导电膜，在所述透明导电膜上形成控制电极层图形，并将所述控制电极层图形晶化；

在带有控制电极层图形的基板上依次沉积反铁磁钉扎层，铁磁被钉扎层，非磁隔离层和软磁层，并形成巨磁电阻层图形；

在带有控制电极层图形和巨磁电阻层图形的基板上沉积绝缘层，针对每个像素区域，在所述绝缘层上形成两个过孔；

在带有控制电极层图形、巨磁电阻层图形、具有过孔的绝缘层的基板上继续沉积透明导电膜，在所述透明导电膜上形成像素电极层图形，针对每个像素区域，像素电极层通过绝缘层上的一个过孔与巨磁电阻层相连，并将所述像素电极层图形晶化；

在带有控制电极层图形、巨磁电阻层图形、具有过孔的绝缘层、像素电极层图形的基板上沉积信号电极层，并形成信号电极，针对每个像素区域，信号电极层通过绝缘层上的另一个过孔与巨磁电阻层相连。

本发明实施例还提供一种包括本发明提供的阵列基板的液晶显示器。

根据本发明实施例提供的方案，利用巨磁电阻在不同磁矩方向下电阻差异较大的特性，构建包括反铁磁耦合关系和铁磁性耦合关系的巨磁电阻层，从而可以通过控制磁矩的方向，改变巨磁电阻层的电阻大小，将巨磁电阻层作为开关使用，相对于包括TFT阵列基板的液晶显示器，利用本发明提供的包括巨磁电阻层的阵列基板取代现有液晶显示器中的TFT阵列基板后，可以有效提高液晶显示器的Ion特性、加快充电速度以及提高亮度。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的阵列基板针对一个像素区域的剖面示意图；

图3(a)为本发明实施例一提供的巨磁电阻层的工作原理示意图；

图3(b)为本发明实施例一提供的巨磁电阻层的工作原理示意图；

图4为本发明实施例二提供的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图。

具体实施方式

磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻，在隧道结的磁电阻结构中，磁电阻效应可以达到100％甚至更多。所谓巨磁电阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。1988年法国巴黎大学的肯特教授研究小组首先在铁/铬(Fe/Cr)多层膜中发现了巨磁电阻效应，在国际上引起了很大的反响。20世纪90年代，人们在铁/铜(Fe/Cu)，铁/铝(Fe/Al)，铁/金(Fe/Au)，钴/铜(Co/Cu)，钴/银(Co/Ag)和钴/金(Co/Au)等纳米结构的多层膜中观察到了显著的巨磁电阻效应。