[发明专利]一种OTFT阵列基板、显示装置及制作方法

权利要求书

1.一种OTFT阵列基板，包括：透明基板，在所述透明基板上形成的栅线和数据线，以及所述栅线和数据线交叉限定的像素单元；所述像素单元包括：有机薄膜晶体管OTFT和像素电极；其特征在于，在所述OTFT的有源层的沟道区域上设置有第一钝化层单元。

2.根据权利要求1所述的OTFT阵列基板，其特征在于，所述OTFT的栅极、栅绝缘层、有源层的形状一致；且所述OTFT阵列基板还包括：第二钝化层单元，所述第二钝化层单元至少覆盖所述形状一致的OTFT的栅极、栅绝缘层、有源层的边缘。

3.根据权利要求2所述的OTFT阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层单元和所述第二钝化层单元为同一层薄膜所形成的不同图案。

4.根据权利要求3所述的OTFT阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层单元、第二钝化层单元的材料为有机光敏材料。

5.根据权利要求1～4任一项所述的OTFT阵列基板，其特征在于，在所述OTFT的有源层的非沟道区域所述OTFT的源极通过其下方的第一接触层单元与所述有源层相连，所述OTFT的漏极通过其下方的第二接触层单元与所述有源层相连，所述数据线下方形成有第三接触层单元；其中，所述第一接触层单元、第二接触层单元、第三接触层单元与所述像素电极为同一层薄膜所形成的不同图案，且所述像素电极与所述第二接触层单元直接相连。

6.根据权利要求5所述的OTFT阵列基板，其特征在于，

所述OTFT的源极下方的第一接触层单元的图案比所述源极的图案大或两者图案一致；

所述OTFT的漏极下方的第二接触层单元的图案比所述漏极的图案大或两者图案一致；

所述OTFT的数据线下方的第三接触层单元的图案比所述数据线的图案大或两者图案一致。

7.根据权利要求2所述的OTFT阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为200～400nm。

8.根据权利要求1～3任一项所述的OTFT阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层单元的厚度为250～650nm。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的OTFT阵列基板。

10.一种OTFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板上依次沉积栅金属薄膜、栅绝缘层薄膜、有机半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线以及形状一致的OTFT的栅极、栅绝缘层和有源层的图形；

在完成上述第一次构图工艺的透明基板上制备钝化层薄膜，通过第二次构图工艺形成第一钝化层单元和第二钝化层单元图形；

在完成上述第二次构图工艺的透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜，通过第三次构图工艺将源漏金属薄膜形成OTFT的源漏极以及数据线的图形，并将透明导电薄膜形成OTFT的源极下方的第一接触层单元、OTFT的漏极下方的第二接触层单元、数据线下方的第三接触层单元和与所述第二接触层单元直接连接的像素电极的图形。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层薄膜的厚度200～400nm。

12.根据权利要求10或11所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层薄膜的厚度为250～650nm。