[发明专利]一种OTFT阵列基板、显示装置及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OTFT阵列基板、显示装置及其制作方法。 

背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)是采用有机半导体为有源层的逻辑单元器件，与无机晶体管相比，OTFT具有下述主要优点：(1)有机薄膜的成膜技术更多，如Langmuir-Blodgett(LB)技术、分子自组装技术、真空蒸镀、喷墨打印等技术，从而使制作工艺简单、多样、成本低；(2)有机物易于获得；(3)OTFT的制作工艺更为简单，并不要求严格的控制气氛条件和苛刻的纯度要求，因而能有效地降低器件的成本，具有适合大面积加工、适用于柔性基板、工艺成本低。由于上述优点，OTFT在平板显示领域显现出应用前景。 

但是，根据目前的OTFT制作工艺，在有源层上制作导电薄膜，并利用光刻工艺将导电薄膜图案化的过程(即在有源层上制作第一接触层单元、第二接触层单元以及源漏电极的过程)中，会对有源层中作为沟道的部分造成一定程度的损坏；而沟道的质量直接影响到OTFT的质量，进而影响到显示面板的质量。 

发明内容

本发明的实施例提供一种OTFT阵列基板、显示装置及其制作方法，用以提高沟道的质量。 

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 

一种OTFT阵列基板，包括：透明基板，在所述透明基板上形成的栅线和数据线，以及所述栅线和数据线交叉限定的像素单元；所述像素单元包括：有机薄膜晶体管OTFT和像素电极；在所述OTFT的有源层的沟道区域上设置有第一钝化层单元。 

一种显示装置，包括上述OTFT阵列基板。 

一种OTFT阵列基板的制作方法，包括：在透明基板上依次沉积栅金属薄膜、栅绝缘层薄膜、有机半导体薄膜，通过第一次构图工艺 形成栅线图形以及形状一致的OTFT的栅极、栅绝缘层和有源层图形；在完成上述第一次构图工艺的透明基板上制备钝化层薄膜，通过第二次构图工艺形成第一钝化层单元和第二钝化层单元图形；在完成上述第二次构图工艺的透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜，通过第三次构图工艺将源漏金属薄膜形成OTFT的源漏极以及数据线的图形，并将透明导电薄膜形成OTFT的源极下方的第一接触层单元、OTFT的漏极下方的第二接触层单元、数据线下方的第三接触层单元和与所述第二接触层单元直接连接的像素电极的图形。 

本发明实施例提供了一种OTFT阵列基板、显示装置及其制作方法，通过在OTFT的有源层的沟道区域上设置有第一钝化层单元，第一钝化层单元在制作导电薄膜并将导电薄膜图案化的过程中对有源层的沟道区域起到了保护作用，不会对沟道区域造成损坏，而且，第一钝化层单元能够精确控制沟道区域的大小，从而提高沟道的质量。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板结构示意图； 

图2为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之一； 

图3为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之二； 

图4为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之三； 

图5为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作示过程示意图之四； 

图6为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之五； 

图7为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之六； 

图8为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之七； 

图9为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之八； 

图10为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之九； 

图11为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之十； 

图12为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之十一； 

图13为本发明实施例提供的图1所示的OTFT阵列基板制作过程示意图之十二； 

附图标示：