[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，其特征在于：所述的P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO₂层，所述的P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al₂O₃层，所述的SiO₂层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的Al₂O₃层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的SiO₂层正面依次生长有厚度为5±2nm的第一nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc-Si:H(i)层，所述的Al₂O₃层背面依次生长有厚度为5±2nm的第三nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度为5±2nm的第四nc-Si:H(i)层。

2.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的第二nc-Si:H(i)层正面沉积有厚度为80～100nm的正面导电膜层，正面导电膜层正面印刷有正面电极，所述的第四nc-Si:H(i)层背面沉积有厚度为80～100nm的背面导电膜层，背面导电膜层背面印刷有背面电极。

3.一种硅基薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：硅片的衬底采用P型晶体硅基体，所述的P型晶体硅基体正面生长2～5nm的SiO₂层，所述的P型晶体硅基体背面生长2～5nm的Al₂O₃层，所述的SiO₂层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的Al₂O₃层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触；

所述的SiO₂层正面依次生长厚度为5±2nm的第一nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc-Si:H(i)层，所述的第二nc-Si:H(i)层正面沉积厚度为80～100nm的正面导电膜层，正面导电膜层正面印刷正面电极；

所述的Al₂O₃层背面依次生长厚度为5±2nm的第三nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度为5±2nm的第四nc-Si:H(i)层，所述的第四nc-Si:H(i)层背面沉积厚度为80～100nm的背面导电膜层，背面导电膜层背面印刷有背面电极。