[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池。

背景技术

现有的硅基薄膜电池一般采用a-Si薄膜作为窗口层，但是不能很好的解决a-Si薄膜的光致衰减效应。硅基薄膜电池对基底的界面态要求很高，对清洗工艺要求苛刻。另外，硅基薄膜电池的重掺杂工艺会造成大量缺陷复合中心，导致电池开压及填充因子的降低，对电池性能造成一定影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种异质结叠层太阳能电池及其制备方法，

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，所述的P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO₂(二氧化硅)层，所述的P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al₂O₃(三氧化二铝)层，所述的SiO₂层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的Al₂O₃层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的SiO₂层正面依次生长有厚度为5±2nm的第一nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc-Si:H(i)层，所述的Al₂O₃层背面依次生长有厚度为5±2nm的第三nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度为5±2nm的第四nc-Si:H(i)层。

进一步地，所述的第二nc-Si:H(i)层正面沉积有厚度为80～100nm的正面导电膜层，正面导电膜层正面印刷有正面电极，所述的第四nc-Si:H(i)层背面沉积有厚度为80～100nm的背面导电膜层，背面导电膜层背面印刷有背面电极。

一种硅基薄膜太阳能电池的制备方法，硅片的衬底采用P型晶体硅基体，所述的P型晶体硅基体正面生长2～5nm的SiO₂层，所述的P型晶体硅基体背面生长2～5nm的Al₂O₃层，所述的SiO₂层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的Al₂O₃层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触。

所述的SiO₂层正面依次生长厚度为5±2nm的第一nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc-Si:H(i)层，所述的第二nc-Si:H(i)层正面沉积厚度为80～100nm的正面导电膜层，正面导电膜层正面印刷正面电极。

所述的Al₂O₃层背面依次生长厚度为5±2nm的第三nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度为5±2nm的第四nc-Si:H(i)层，所述的第四nc-Si:H(i)层背面沉积厚度为80～100nm的背面导电膜层，背面导电膜层背面印刷有背面电极。

本发明的有益效果是：用多层nc-Si:H层代替a-Si能解决较多薄膜电池的光致衰减效应的问题。在P型晶体硅基体上制备的SiO2层、Al2O3层具有很好的钝化作用，通过激光打孔形成点接触，提供一个可控界面态结构，提供可控界面，降低了对清洗工艺的要求；同时可以避免等离子体对硅基底的溅射损伤。多层nc-Si:H(i)层的存在，可以有效的降低界面态密度，使得重掺非晶硅薄膜表面的光生电子-空穴对复合减少，暗电流降低，提高了硅基薄膜电池的开压及填充因子。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是本发明的结构示意图；

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。