[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一沟道，所述第一沟道包括自衬底垂直地延伸的一对第一柱体和位于所述一对第一柱体之下并将所述一对第一柱体耦接的第一耦接部分；

第二沟道，所述第二沟道与所述第一沟道相邻，并且包括自所述衬底垂直地延伸的一对第二柱体和位于所述一对第二柱体之下并将所述一对第二柱体耦接的第二耦接部分；

多个栅电极层和层间电介质层，所述多个栅电极层和层间电介质层沿着所述第一柱体和所述第二柱体交替地层叠，其中，最上部的栅电极层包括用于选择晶体管的栅电极层，而除了所述最上部的栅电极层之外的栅电极层包括用于存储器单元的栅电极层；以及

第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽分别将形成在所述一对第一柱体之间和所述一对第二柱体之间的所述多个栅电极层隔离，

其中，所述第一沟道的选择晶体管与所述第二沟道的选择晶体管共用栅电极层。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述一对第一柱体之间的宽度和所述一对第二柱体之间的宽度大于第一柱体与相邻的第二柱体之间的宽度。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

第一互连，所述第一互连将第一柱体与相邻的第二柱体耦接；以及

第二互连，所述第二互连将未与所述第一互连耦接的第一柱体和第二柱体耦接。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述第一互连包括源极线，所述第二互连包括位线。

5.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述第一互连与所述第一柱体和相邻的所述第二柱体直接耦接，并且

所述第二互连与第一接触和第二接触耦接，所述第一接触和第二接触分别布置在未与所述第一互连耦接的所述第一柱体和所述第二柱体之上。

6.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，沿着所述第一柱体层叠的所述多个栅电极层形成第一串，沿着所述第二柱体层叠的所述多个栅电极层形成第二串，所述第一串和所述第二串共用与所述第一互连相耦接的选择晶体管的栅极。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括与所述第一耦接部分和所述第二耦接部分耦接的栅电极，并且所述栅电极被配置为控制所述一对第一柱体的耦接和所述一对第二柱体的耦接。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在第一柱体与相邻的第二柱体之间不存在沟槽。

9.一种形成非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成管道栅电极，所述管道栅电极包括掩埋在所述管道栅电极中的第一牺牲层和第二牺牲层；

在所述管道栅电极和所述牺牲层之上交替地层叠多个第一层间电介质层和栅电极层；

选择性地刻蚀至少所述多个层间电介质层和栅电极层以形成第一对沟道孔和第二对沟道孔，其中，所述第一对沟道孔之间的宽度和所述第二对沟道孔之间的宽度大于第一沟道孔与相邻的第二沟道孔之间的宽度；

去除所述牺牲层以形成分别将所述第一对沟道孔和所述第二对沟道孔耦接的第一耦接区和第二耦接区；

在所述第一耦接区和所述第二耦接区以及所述第一对沟道孔和所述第二对沟道孔的内壁上形成第一存储层和第一沟道层；以及

刻蚀所述第一对沟道孔和所述第二对沟道孔之间的所述多个层间电介质层和栅电极层以形成沟槽。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在衬底之上形成包括掩埋在管道栅电极中的第一牺牲层和第二牺牲层的管道栅电极的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上形成导电层；

选择性地刻蚀所述导电层以形成用以形成所述管道栅电极的空间；以及

用电介质层填充所述空间以形成所述牺牲层。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述存储层包括电荷阻挡层、电荷陷阱层和隧道电介质层。

12.如权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：

形成将所述第一对沟道孔中的沟道孔与所述第二对沟道孔中的沟道孔耦接的第一互连；以及

形成耦接到未与所述第一互连相耦接的沟道孔的第二互连。

13.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：

形成漏极接触，所述漏极接触将所述第二互连耦接到未与所述第一互连相耦接的沟道孔。