[发明专利]一种高擦写速度的SONOS单元晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210047352.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569408A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 葛洪涛;黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 擦写 速度 sonos 单元 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高擦写速度的SONOS单元晶体管，包括若干成对PMOS和NMOS，所述NMOS包括：
具有若干成对有源区的P型硅衬底，每一对有源区之间形成有沟道；
栅极，位于所述沟道上方，所述栅极的侧墙之间具有氧化硅-氮化硅-氧化硅层，所述氧化硅-氮化硅-氧化硅层上为多晶硅；
所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区；
其特征在于，所述NMOS的有源区成对有源区包括碳化硅。
2.根据权利要求1所述的高擦写速度的SONOS单元晶体管，其特征在于，所述成对有源区包括源极和漏极。
3.一种制造权利要求1或2所述高擦写速度的SONOS单元晶体管的方法，其特征在于，在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后，还包括如下步骤：
步骤1，沉淀阻挡层覆盖所述晶体管；
步骤2，刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露；
步骤3，刻蚀NMOS区域栅极的两侧有源区位置的硅；
步骤4，通过选择性外延工艺，在所述有源区位置沉淀碳化硅；
步骤5，进行高温退火，使所述碳化硅对沟道产生张应力。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在完成步骤5后，还包括去除阻挡层的步骤。
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