[发明专利]SRAM单元的制备法无效
| 申请号： | 201210047389.6 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102593058A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 单元 制备 | ||
1.一种SRAM单元的制备方法，其特征在于，步骤包括：
步骤1，提供衬底，衬底中包括有源区、浅沟槽和掺杂区，浅沟槽与掺杂区不接触；在衬底上形成有多晶硅栅极；掺杂区包括重掺杂区和靠近多晶硅栅极的轻掺杂区；
在多晶硅栅极的至少靠近掺杂区的一侧沉积一层第一刻蚀阻挡层（作为沉积接触孔刻蚀停止层），使所述第一刻蚀阻挡层覆盖轻掺杂区上方；
多晶硅栅极两侧形成侧墙；
步骤2，在衬底、多晶硅栅极以及侧墙上方依次沉积第二刻蚀阻挡层和层间介质；
步骤3，在多晶硅栅极和掺杂区上方进行接触孔刻蚀工艺，形成共享接触孔，刻蚀过程中，第二刻蚀阻挡层与第一刻蚀阻挡层刻蚀速度比大于1（高第二刻蚀阻挡层/第一刻蚀阻挡层选择比），使共享接触孔刻蚀停止在第一刻蚀阻挡层、多晶硅栅极、和掺杂区上表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二刻蚀阻挡层为氮化硅。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一刻蚀阻挡层为碳化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙为氮化硅。
5.一种根据权利要求1所述方法制备的SRAM单元，其特征在于，衬底中包括有源区、浅沟槽和掺杂区，浅沟槽与掺杂区不接触；在衬底上形成有多晶硅栅极，掺杂区包括重掺杂区和靠近多晶硅栅极的轻掺杂区；
在多晶硅栅极和掺杂区上方有共享接触孔，在共享接触孔与轻掺杂区之间有第一刻蚀阻挡层；
多晶硅栅极不与共享接触孔接触的一侧形成有侧墙，在共享接触孔两侧的衬底以及多晶硅栅极和侧墙上方依次沉积有第二刻蚀阻挡层、和层间介质。
6.根据权利要求5所述的SRAM单元，其特征在于，第二刻蚀阻挡层为氮化硅。
7.根据权利要求5所述的SRAM单元，其特征在于，第一刻蚀阻挡层为碳化硅。
8.根据权利要求5所述的SRAM单元，其特征在于，所述侧墙为氮化硅。
9.一种减小SRAM漏电流的方法，其特征在于，采用权利要求1所述的SRAM单元的制备方法在掺杂区、多晶硅栅极上方形成共享接触孔，并且享接触孔下方通过第一刻蚀阻挡层与轻掺杂区隔开，使共享接触孔不与轻掺杂区接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
