[发明专利]制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法

权利要求书

1.一种内存阵列的制作方法，其特征在于，包含：

提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域以及位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，其中所述线形有源区域以及所述线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；

在所述半导体衬底中形成多条沿着一第二方向延伸的埋入式字线，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，其中所述第一方向不垂直于所述第二方向；

在所述半导体衬底中形成多条沿着一第三方向延伸的埋入式位线，其中第三方向垂直于第二方向；以及

于所述埋入式位线之间的多个储存节点位置上形成多个储存节点。

2.如权利要求1所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，于所述半导体衬底中形成沿着所述第三方向延伸的所述埋入式位线的步骤包含有：

于所述半导体衬底凹蚀出多条线形埋入式位线沟槽；

于所述半导体衬底上覆盖沉积一衬里层；

去除位于所述线形埋入式位线沟槽与所述线形有源区域交叉处的部分所述衬里层；

在所述线形埋入式位线沟槽内沉积一导电层；以及

以一介电盖层覆盖所述导电层。

3.如权利要求2所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述线形埋入式位线沟槽不会裸露出所述埋入式字线。

4.如权利要求2所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述衬里层为氮化硅衬里层。

5.如权利要求4所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述介电盖层与所述衬里层由不同材料构成。

6.如权利要求2所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述衬里层顺势覆盖所述线形埋入式位线沟槽的底部及侧壁。

7.如权利要求2所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，在去除部分的所述衬里层之后，继续于所述线形埋入式位线沟槽内的所述线形沟槽隔离区域的侧壁上形成间隙壁。

8.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，所述埋入式字线以锐角θ与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交。

9.如权利要求8所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述锐角θ介于15°～60°之间。

10.如权利要求1所述的内存阵列的制作方法，其特征在于，所述储存节点位置为所述线形有源区域的裸露面。

11.一种内存阵列，其特征在于，包含：

一半导体衬底，其上具有多个线形的有源区域以及位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，其中所述线形有源区域以及所述线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；

多条埋入式字线，其位于所述半导体基材中且沿着一第二方向延伸，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，其中所述第一方向不垂直于所述第二方向；

多条埋入式位线，其位于所述半导体衬底中且沿着一第三方向延伸，其中所述第三方向垂直于所述第二方向；以及

多个储存节点，其位于所述埋入式位线之间的多个储存节点位置。

12.如权利要求11所述的内存阵列，其特征在于，所述埋入式字线以锐角θ与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交。

13.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述锐角θ介于15°～60°之间。

14.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述储存节点位置为所述线形有源区域的裸露面。