[发明专利]纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法无效
| 申请号： | 201210048569.6 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103295636A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王琴;杨潇楠;王永;张满红;霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 晶浮栅 存储器 阵列 编程 方法 | ||
1.一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列包括多个纳米晶浮栅存储器、多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，其中，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，且每个存储单元连接一条位线和一条字线，所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列，其特征在于：
当对所选定存储单元进行编程时，该方法包括如下步骤：
将与所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；
对与所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加电压Vl；
对与所选定存储单元连接的位线施加电压Vh；
所述Vl小于Vh。
2.如权利要求1所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于：将与未选定存储单元连接的位线浮空。
3.如权利要求1所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于：所述多条字线浮空。
4.如权利要求1所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于：所述Vl为4～5V。
5.如权利要求1所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于：所述Vh为10～15V。
6.如权利要求1所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于，所述纳米晶浮栅存储器的存储单元包括纳米晶浮栅层(3)，其作为纳米晶浮栅存储器的存储介质。
7.如权利要求6所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于，所述纳米晶浮栅存储器的存储单元还包括：
硅衬底(1)，在硅衬底(1)上具有重掺杂的源导电区(6)和漏导电区(7)。
8.如权利要求7所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于，所述纳米晶浮栅存储器的存储单元还包括：
隧穿层(2)，其覆盖于所述源导电区(6)和漏导电区(7)之间的载流子沟道上，并且，所述纳米晶浮栅层(3)覆盖在该隧穿层(2)上。
9.如权利要求8所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于，所述纳米晶浮栅存储器的存储单元还包括：
控制栅介质层(4)，其覆盖于纳米晶浮栅层(3)上。
10.如权利要求9所述的纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，其特征在于，所述纳米晶浮栅存储器的存储单元还包括：
栅电极层(5)，其覆盖于控制栅介质层(4)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210048569.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
