[发明专利]阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板行驱动单元，包括用于产生栅极驱动信号的栅极驱动模块，其特征在于，所述阵列基板行驱动单元还包括发光控制模块；

所述发光控制模块，与所述栅极驱动模块的栅极驱动信号输出端连接，用于在所述栅极驱动信号的控制下产生控制有机发光二极管开关的发光控制信号，所述栅极驱动信号和所述发光控制信号反相。

2.如权利要求1所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述栅极驱动模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第一自举电容，其中，

所述第一薄膜晶体管，栅极与上一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号输出端连接，源极分别与所述第二薄膜晶体管的漏极连接，漏极与驱动电源连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与下一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号输出端连接，源极与所述驱动电源连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极与所述第一薄膜晶体管的源极连接，源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，漏极与第一时钟信号输入端连接；

所述第四薄膜晶体管，栅极与第二时钟信号输入端连接，源极与所述驱动电源连接；

所述第一自举电容，连接于所述第三薄膜晶体管的栅极和源极之间；

所述第一薄膜晶体管的栅极为输入端，所述第三薄膜晶体管的源极为本级栅极驱动信号输出端。

3.如权利要求2所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述发光控制模块包括第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第二自举电容，其中，

所述第五薄膜晶体管，栅极与下一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号输出端连接，源极分别与所述第六薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源连接；

所述第六薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，源极与所述驱动电源连接；

所述第七薄膜晶体管，栅极与所述第五薄膜晶体管的源极连接，源极与所述第八薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源连接；

所述第八薄膜晶体管，栅极与所述第六薄膜晶体管的栅极连接，源极与所述驱动电源连接；

所述第二自举电容连接于所述第七薄膜晶体管的栅极和源极之间；

所述第七薄膜晶体管的源极为发光控制信号输出端。

4.如权利要求3所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第二薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第四薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管是p型薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述第五薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第六薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第七薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第八薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管和所述第八薄膜晶体管为p型薄膜晶体管。

6.如权利要求3所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第二薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第四薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管是n型薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的阵列基板行驱动单元，其特征在于，

所述第五薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第六薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第七薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第八薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管和所述第八薄膜晶体管为n型薄膜晶体管。