[发明专利]放射线检测装置、闪烁体板、制造方法和放射线检测系统有效
申请号: | 201210051338.0 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102655160A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 市村知昭;冈田聪;长野和美;野村庆一;石田阳平;佐佐木庆人;中山明哉 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;G21K4/00;G01T1/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测 装置 闪烁 制造 方法 系统 | ||
1.一种包括传感器板和闪烁体板的放射线检测装置,该闪烁体板包含:
基板;
被设置在所述基板上的闪烁体;和
闪烁体保护膜,所述闪烁体保护膜具有第一有机保护层和无机保护层并且覆盖所述闪烁体,其中,所述闪烁体保护膜位于所述传感器板和所述闪烁体之间,
所述第一有机保护层相对于所述无机保护层位于闪烁体侧,并且,
所述闪烁体的传感器板侧的表面与所述无机保护层部分地接触。
2.根据权利要求1的放射线检测装置,其中,所述闪烁体包含柱晶的集合体,并且,所述柱晶的尖端贯通所述第一有机保护层并且与所述无机保护层接触。
3.根据权利要求1的放射线检测装置,其中,
所述闪烁体保护膜还包含第二有机保护层,
所述第二有机保护层相对于所述无机保护层位于传感器板侧,
所述无机保护层和所述闪烁体通过所述第一有机保护层被接合,并且,
所述无机保护层和所述传感器板通过所述第二有机保护层被接合。
4.根据权利要求3的放射线检测装置,其中,
所述传感器板包含形成像素阵列的半导体部件和导电部件,并且,
所述半导体部件中的至少一些和所述导电部件中的至少一些具有与所述第二有机保护层接触的部分。
5.根据权利要求4的放射线检测装置,其中,所述半导体部件中的至少一些和所述导电部件中的至少一些具有贯通所述第二有机保护层并且与所述无机保护层接触的部分。
6.根据权利要求3的放射线检测装置,其中,
所述传感器板包含形成像素阵列的半导体部件和导电部件、以及覆盖所述半导体部件和所述导电部件的传感器板保护膜,并且,
所述传感器板保护膜具有与第二有机保护层接触的部分。
7.根据权利要求6的放射线检测装置,其中,所述传感器板保护膜的覆盖所述半导体部件和所述导电部件的部分包含贯通所述第二有机保护层并与所述无机保护层接触的部分。
8.根据权利要求3的放射线检测装置,其中,用于使所述第一有机保护层进入软化状态的温度和用于使所述第二有机保护层进入软化状态的温度均低于用于使所述无机保护层进入软化状态的温度。
9.根据权利要求3的放射线检测装置,其中,所述第一有机保护层和所述第二有机保护层是有机树脂膜,并且,所述无机保护层是氧化物膜或氮化物膜。
10.一种闪烁体板,包括:
基板;
被设置在所述基板上的闪烁体;和
闪烁体保护膜,所述闪烁体保护膜具有有机保护层和无机保护层并且覆盖所述闪烁体,其中,所述有机保护层相对于所述无机保护层位于闪烁体侧,并且,
所述闪烁体的基板侧表面的相对侧的表面与所述无机保护层部分地接触。
11.一种放射线检测系统,包括:
根据权利要求1的放射线检测装置;和
用于处理通过放射线检测装置获得的信号的信号处理单元。
12.一种放射线检测装置的制造方法,包括:
在基板上形成闪烁体;
制备具有有机保护层和无机保护层的闪烁体保护膜;
用闪烁体保护膜覆盖所述闪烁体,使得有机保护层与所述闪烁体接触;
通过热压接合将所述闪烁体保护膜接合到所述闪烁体;和
层叠被所述闪烁体保护膜覆盖的所述闪烁体与传感器板,
其中,在所述层叠中,部分进入所述有机保护层的所述闪烁体的基板侧表面的相对侧的表面到达所述无机保护层而停止。
13.一种闪烁体板的制造方法,包括:
在基板上形成闪烁体;
制备具有有机保护层和无机保护层的闪烁体保护膜;
用所述闪烁体保护膜覆盖所述闪烁体以使得所述有机保护层与所述闪烁体接触;和
通过热压接合将所述闪烁体保护膜接合到所述闪烁体,
其中,在通过热压接合的所述接合中,部分地进入所述有机保护层的闪烁体的基板侧表面的相对侧的表面到达所述无机保护层而停止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的