[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置有效
申请号: | 201210051688.7 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102683361A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 吉次快 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:
半导体基板,所述半导体基板具有形成有进行光电转换的光电二极管的有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域;
第一膜,所述第一膜形成于所述有效区域上,并且在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层;以及
第二膜,所述第二膜形成于所述光学黑区域上,并且在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层,
其中,在所述第一膜中形成的层的数量不同于在所述第二膜中形成的层的数量。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,
其中,所述第一膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的,
第二层,所述第二层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第一层上形成的,以及
第三层,所述第三层是使用物理气相沉积在所述第二层上形成的,并且
其中,所述第二膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的,以及
第二层,所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,
其中,所述第一膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的,以及
第二层,所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的,并且
其中,所述第二膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的,
第二层,所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的,以及
第三层,所述第三层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第二层上形成的。
4.根据权利要求1所述的固体摄像器件,
其中,所述第一膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的,以及
第二层,所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的,以及
第三层,所述第三层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第二层上形成的,并且
其中,所述第二膜包括:
第一层,所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的固体摄像器件,其中,
组成所述第一膜和所述第二膜的层是由氧化铪膜、氧化铝膜、氧化锆膜、氧化钽膜和氧化钛膜中的任一种形成的。
6.一种制造固体摄像器件的方法,所述方法包括以下步骤:
在半导体基板中形成有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域,所述有效区域中形成有进行光电转换的光电二极管;
在所述有效区域上形成第一膜,在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层;以及
在所述光学黑区域上形成第二膜,在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层,并且形成于所述第二膜中的层的数量不同于形成于所述第一膜中的层的数量。
7.一种摄像装置,所述摄像装置包括:
根据权利要求1~5中任一项所述的固体摄像器件;
光学系统,所述光学系统使被拍摄物体的图像在所述固体摄像器件上成像;
驱动单元,所述驱动单元生成使所述固体摄像器件进行操作的驱动脉冲;以及
信号处理电路,所述信号处理电路对来自所述固体摄像器件的输出图像信号进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的