[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请包含与2011年3月10日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2011-053237所公开的内容相关的主题，因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置。

背景技术

已知，在电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)型或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)型的固体摄像器件中，光电二极管中的晶格缺陷或者位于在半导体基板中形成的光感测部与该光感测部上的绝缘层之间的界面处的界面态导致了暗电流。

因此，作为抑制暗电流产生的技术，提出了在半导体基板的整个表面上，例如在光感测像素区域(在下文中称为“有效区域”)和光学黑区域(在下文中称为“OB区域”)的表面上，形成具有负固定电荷的膜的技术。在此技术中，在半导体基板上形成有具有负固定电荷的膜，并且在光感测部与绝缘层之间的界面附近存储正电荷(空穴)，从而抑制了由界面态导致的暗电流的发生。

日本专利申请公开公报第2010-239116号是相关技术的示例。

然而，关于由界面态导致的暗电流，有效区域与OB区域的这样的暗电流的量是不同的。因此，在半导体基板的整个表面上形成有上述具有负固定电荷的膜的情况下，虽然减少了暗电流的总量，但是在有效区域与OB区域之间产生了暗电流差，因而存在着发生所谓的OB等级差的问题。

发明内容

鉴于上述原因，期望提供一种固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置，其中，能够使有效区域中的暗电流与光学黑区域中的暗电流之间的差较小，由此能够改善所谓的OB等级差。

本发明实施方式提供了一种固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：半导体基板，所述半导体基板具有形成有进行光电转换的光电二极管的有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域；第一膜，所述第一膜形成于所述有效区域上，并且在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层；以及第二膜，所述第二膜形成于所述光学黑区域上，并且在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层，其中，在所述第一膜中形成的层的数量不同于在所述第二膜中形成的层的数量。

在所述固体摄像器件中，所述第一膜可以包括：第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的；第二层，所述第二层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第一层上形成的；以及第三层，所述第三层是使用物理气相沉积在所述第二层上形成的。所述第二膜可以包括：第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的；以及第二层，所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的。

另外，在所述固体摄像器件中，所述第一膜可以包括：第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的；第二层，所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的。所述第二膜可以包括：第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的；第二层，所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的；以及第三层，所述第三层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第二层上形成的。

另外，在所述固体摄像器件中，所述第一膜可以包括：第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的；第二层，所述第二层是使用物理气相沉积在所述第一层上形成的；以及第三层，所述第三层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述第二层上形成的。所述第二膜可以包括第一层，所述第一层是使用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法在所述半导体基板上形成的。

另外，在所述固体摄像器件中，组成所述第一膜和所述第二膜的层可以由氧化铪膜、氧化铝膜、氧化锆膜、氧化钽膜和氧化钛膜中的任一种组成。

本发明另一实施方式提供了一种固体摄像器件的制造方法。所述方法包括以下步骤：在半导体基板中形成有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域，所述有效区域中形成有进行光电转换的光电二极管；在所述有效区域上形成第一膜，在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层；以及在所述光学黑区域上形成第二膜，在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层，并且形成于所述第二膜中的层的数量不同于形成于所述第一膜中的层的数量。