[发明专利]导管尖部装置及其制造方法

权利要求书

1.一种换能器模块，包括：

载体(26)，其包括凹口式芯片附连区域(36)和导线区域(32)，所述导线区域(32)包括形成于其中的至少一个凹槽(38)；以及

阻隔件(42)，其从所述载体(26)延伸，并且部分地包围所述凹口式芯片附连区域(36)，以促进在制造过程期间保护所述凹口式芯片附连区域(36)。

2.根据权利要求1所述的换能器模块，其特征在于，所述至少一个凹槽(38)沿着所述导线区域(32)基本沿轴向延伸。

3.根据权利要求1所述的换能器模块，其特征在于，所述至少一个凹槽(38)促进对准布置到所述载体(26)上的至少一个导电导线(58)。

4.根据权利要求3所述的换能器模块，其特征在于，所述载体(26)包括联接到所述凹口式芯片附连区域(36)上的换能器芯片(12)，所述换能器芯片(12)通过互连件(66)来电连接到所述至少一个导电导线(58)上。

5.根据权利要求4所述的换能器模块，其特征在于，所述阻隔件(42)从所述载体(26)向上延伸高于所述互连件(66)一定距离。

6.根据权利要求1所述的换能器模块，其特征在于，所述阻隔件(42)包括一对相对的侧壁(46)和在所述侧壁(46)之间延伸的端壁(48)。

7.根据权利要求6所述的换能器，其特征在于，各个侧壁(46)包括第一端(50)、第二端(52)以及在所述第一端(50)和所述第二端(52)之间延伸的本体(54)。

8.根据权利要求7所述的换能器，其特征在于，所述第一端(50)具有短于所述第二端(52)的高度(h2)的高度(h1)。

9.一种导管尖部装置，包括：

囊(16)；

附连到所述囊(16)上的换能器模块(14)，所述换能器模块(14)包括：

包括凹口式芯片附连区域(36)且包括导线区域(32)的载体(26)；

位于所述凹口式芯片附连区域(36)中的换能器芯片(12)，以及

布置到所述导线区域(32)的至少一个凹槽(38)中的至少一个导电导线(58)，所述至少一个导电导线(58)电互连到所述换能器芯片(12)上；以及

阻隔件(42)，其从所述载体(26)延伸，并且部分地包围所述凹口式芯片附连区域(36)，以促进在制造过程期间保护所述凹口式芯片附连区域(36)。

10.根据权利要求9所述的导管尖部装置，其特征在于，所述至少一个凹槽(38)包括促进对准布置到所述载体(26)上的所述至少一个导电导线(58)的相对的壁(39)。

11.根据权利要求9所述的导管尖部装置，其特征在于，所述阻隔件(42)包括一对相对的侧壁(46)和端壁(48)。

12.根据权利要求11所述的导管尖部装置，其特征在于，所述对相对的侧壁(46)部分地包围所述换能器芯片(12)和所述至少一个导电导线(58)的所述电互连。

13.根据权利要求9所述的导管尖部装置，其特征在于，各个侧壁(46)包括第一端(50)、第二端(52)以及在所述第一端(50)和所述第二端(52)之间延伸的本体(54)。

14.根据权利要求13所述的导管尖部装置，其特征在于，所述本体(54)在所述第一端(50)和所述第二端(52)之间渐缩。

15.一种制造导管尖部装置的方法，包括：

形成载体(26)，所述载体(26)包括凹口式芯片附连区域(36)、凹槽式导线区域(32)和至少部分地包围在所述凹口式芯片附连区域(36)的周围的阻隔件(42)；

将至少一个换能器芯片(12)附连到所述凹口式芯片附连区域(36)上；以及

互连所述至少一个换能器芯片(12)。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将至少一个导电导线(58)布置在所述凹槽式导线区域(32)内。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将熔敷材料(64)施用到所述凹槽式导线区域(32)中。