[发明专利]半导体器件的制造方法和计算机存储介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，所述基板具有：多层膜，交替叠层有具有第一介电常数的第一膜和具有与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于所述多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

第一工序，以所述光致抗蚀剂层为掩模，对所述第一膜进行等离子体蚀刻；

第二工序，将所述光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；

第三工序，修整所述光致抗蚀剂层；和

第四工序，以通过所述第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在所述第一工序中进行了等离子体蚀刻的所述第一膜为掩模，蚀刻所述第二膜，

通过反复进行所述第一工序至所述第四工序，使所述多层膜为台阶状结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述第一膜为绝缘膜，所述第二膜为导电膜。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述第一膜和所述第二膜为

二氧化硅膜和掺杂多晶硅膜、

二氧化硅膜和氮化硅膜、和

多晶硅膜和掺杂多晶硅膜中的任一者。

4.如权利要求1～3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第一工序和所述第二工序之间，具备除去附着于所述光致抗蚀剂层上的堆积物的堆积物除去工序。

5.如权利要求1～4任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第二工序中使用氢气和氦气的混合气体的等离子体。

6.如权利要求5任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第二工序中使用氢气、氦气和含硅气体的混合气体的等离子体。

7.如权利要求5或6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第二工序中，处理腔室内的压力调整为1.33～6.66Pa。

8.如权利要求1～7任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述第一膜和所述第二膜合计叠层64层以上。

9.一种计算机存储介质，存储有控制等离子体处理装置的控制程序，所述等离子体处理装置具备：

处理腔室，其收容被处理基板；

处理气体供给机构，其向所述处理腔室内供给处理气体；和

等离子体产生机构，其产生所述处理气体的等离子体，

所述计算机存储介质的特征在于：

所述控制程序控制所述等离子体处理装置，使得执行权利要求1～8中任一项所述的半导体器件的制造方法。