[发明专利]引线接合装置及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201210055038.X | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102931106A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 佐野雄一;武部直人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 接合 装置 半导体 制造 方法 | ||
1.一种引线接合装置,其特征在于,具有:
细管;保持细管的接合头;接合台;使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构;使前述细管超声波振动的超声波辐射器;箝位器,其设置为可以开闭,并且在打开的状态下使得能够进行插通于前述细管的引线的送出,在关闭的状态下使得不能够进行前述引线的送出;对前述移动机构、前述超声波辐射器及前述箝位器进行控制的控制部;
其中,前述控制部:
对插通于前述细管的引线,通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合,
通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的基板的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部,
对前述移动机构进行控制,使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘;
前述控制部控制前述移动机构,使得在形成前述引线的连接部时,在前述细管的下端部的细管端面部与前述基板的上表面之间夹着前述引线并使其按压变形;进而
前述控制部控制前述移动机构和前述箝位器,使得在形成前述接合用的连接部时,将前述箝位器设为打开状态而进行,此后将前述箝位器设为关闭状态而使前述细管上升并使前述细管移动至前述第2焊盘的上方,并使前述细管下降而使前述引线的连接部抵接于前述第2焊盘,然后将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。
2.一种引线接合装置,其特征在于,具有:
细管;接合台;使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构;以及对前述移动机构进行控制的控制部;
其中,前述控制部:
对插通于细管的引线,通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合,
通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的基板的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部,
控制前述移动机构,使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。
3.根据权利要求2所述的引线接合装置,其特征在于,
前述控制部对前述移动机构进行控制,使得在形成前述引线的连接部时,在前述细管的下端部的细管端面部与前述基板的上表面之间夹着前述引线并使其按压变形。
4.根据权利要求2或3所述的引线接合装置,其特征在于,具备:
箝位器,其设置为可以开闭,并且在打开的状态下使得能够进行插通于前述细管的前述引线的送出,在关闭的状态下使得不能够进行前述引线的送出;
其中,前述控制部控制前述移动机构和前述箝位器,使得在形成前述接合用的连接部时,将前述箝位器设为打开状态而进行,此后保持前述箝位器打开的状态而使前述细管上升并使前述细管移动至前述第2焊盘的上方,并使前述细管下降而使前述引线的连接部抵接于前述第2焊盘,然后将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘,之后将前述箝位器设为关闭状态。
5.根据权利要求2或3所述的引线接合装置,其特征在于,具备:
箝位器,其设置为可以开闭,并且在打开的状态下使得能够进行插通于前述细管的前述引线的送出,在关闭的状态下使得不能够进行前述引线的送出;
其中,前述控制部控制前述移动机构和前述箝位器,使得在形成前述接合用的连接部时,将前述箝位器设为打开状态而进行,此后将前述箝位器设为关闭状态而使前述细管上升并使前述细管移动至前述第2焊盘的上方,并使前述细管下降而使前述引线的连接部抵接于前述第2焊盘,然后将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。
6.一种引线接合装置,其特征在于,具有:
细管;接合台;使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构;以及对前述移动机构进行控制的控制部;
其中,前述控制部:
对插通于细管的引线,通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合,
通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的半导体芯片的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部,
控制前述移动机构,使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘或设置于前述第2焊盘上的凸块。
7.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
对插通于细管的引线,通过前述细管向设置于电路基板的半导体芯片的电极焊盘进行第一次接合;
通过前述细管使前述引线接触于设置有接合焊盘的前述电路基板的上表面中接近于前述接合焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部;以及
将前述引线的连接部接合于前述接合焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造