[发明专利]引线接合装置及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201210055038.X | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102931106A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 佐野雄一;武部直人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 接合 装置 半导体 制造 方法 | ||
相关申请
本申请享有以日本专利申请2011-173845号(申请日:2011年8月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及引线接合装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
已知下述结构:在电路基板上粘接半导体芯片,通过引线接合将设置于半导体芯片的上表面的电极焊盘与设置于电路基板的上表面的接合焊盘相连接。在该结构的情况下,在从细管向下方突出的引线的前端形成焊球,使该焊球抵接于半导体芯片的电极焊盘上,由此进行接合(第一接合)。接着,边从细管抽出引线,边使细管上升,进而使其向横方向移动而位于电路基板的接合焊盘的正上方,之后使其下降并使引线抵接于接合焊盘上,并且对该引线经由细管施加载荷和超声波,经由设置于电路基板侧的加热器加热,由此进行接合(第二接合)。
在上述结构的情况下,接合于半导体芯片的电极焊盘及电路基板的接合焊盘的引线的环形部分的形状成为大致山形。将该引线的环形部分的高度、即从半导体芯片的电极焊盘的上表面至上述环形部分的最高部分的高度定义为环形高度。近年,期望降低上述环形高度。
但是,在执行上述的引线接合的情况下,在第二接合时,在将要使引线抵接于电路基板的接合焊盘上而进行接合时,由于引线从细管稍微向下方悬垂,所以在抵接于电路基板的接合焊盘上之前上述悬垂的引线会接触电路基板的表面。通过该接触,存在着下述问题:由于会产生应力而使引线上跳,所以上述环形高度会变高。例如,在将环形高度设定为40~50μm左右的情况下,由于上述引线的上跳,环形高度会升高10%左右。
发明内容
因此,提供在执行引线接合时能够降低环形高度的引线接合装置及半导体装置的制造方法。
本实施方式的引线接合装置具有:细管;接合台;使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构;以及对前述移动机构进行控制的控制部。前述控制部,对插通于细管的引线,通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合,通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的基板的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部。然后,前述控制部控制前述移动机构,使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。
本实施方式的半导体装置的制造方法,对插通于细管的引线,通过前述细管向设置于电路基板的半导体芯片的电极焊盘进行第一次接合。然后,通过前述细管使前述引线接触于设置有接合焊盘的前述电路基板的上表面中接近于前述接合焊盘的部位并按压变形,由此形成接合用的连接部。进而,将前述引线的连接部接合于前述接合焊盘。
附图说明
图1是说明表示第1实施方式的引线接合方法的纵剖侧面图(其一)。
图2是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其二)。
图3是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其三)。
图4是表示使引线接触到了电路基板上的状态的放大纵剖侧面图。
图5是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其四)。
图6是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其五)。
图7是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其六)。
图8是表示使引线接合到了接合焊盘上的状态的放大纵剖侧面图。
图9是说明引线接合方法的纵剖侧面图(其七)。
图10是表示引线接合装置的概略结构的图。
图11是表示变形实施方式的接合焊盘周边的俯视图。
图12是表示不同的变形实施方式的图,是说明引线接合方法的纵剖侧面图。
符号说明
1电路基板,2半导体芯片、接合焊盘,5电极焊盘,7细管,8引线,9焊球,10临时接触部分,11连接部,24臂驱动马达,25接合台,26XY移动机构,27控制部。
具体实施方式
以下,关于多个实施方式参照附图进行说明。而且,在各实施方式中,对实质相同的构成部位赋予同一符号,并省略说明。但是,附图是示意性的图,厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等与现实的情况不同。
(第1实施方式)
关于本实施方式的引线接合装置,参照图1~图10进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造