[发明专利]磁共振成像装置有效
申请号: | 201210055807.6 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102764122A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 山中正昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王轶;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁共振 成像 装置 | ||
本申请主张2011年3月7日申请的日本专利申请号2011-049310的优先权,并在本申请中引用上述日本专利申请的全部内容。
技术领域
实施方式涉及磁共振成像装置。
背景技术
磁共振成像装置通过施加倾斜磁场,从而对从被检体放射出的磁共振信号提供位置信息,并根据该位置信息来重建图像。
然而,磁共振成像装置脉冲(pulse)状地施加倾斜磁场。因此,在存在于倾斜磁场线圈(coil)的周围的导体(例如静磁场磁铁的热挡板(shield)等)中会发生涡电流,并由发生的涡电流来生成磁场(以下,涡流磁场)。由于该涡流磁场作用于抑制倾斜磁场的变化的方向上,并使倾斜磁场的波形变形,因此,如果考虑基于涡流磁场的影响而不进行波形的校正,则在由磁共振信号而重建的图像中产生劣化。由于这样,近年来,使用有校正倾斜磁场的波形的“涡流校正”。
“涡流校正”是对于理想的倾斜磁场的波形,进行使用了预先准备的涡流校正参数(parameter)(强度、时间常数)的计算,其结果输出校正后的波形。倾斜磁场电源按照该校正后的波形来施加倾斜磁场。于是,通过涡流磁场与倾斜磁场重叠,倾斜磁场的波形接近于理想的波形。
在此,在涡流磁场中存在时间常数长的情况与短的情况,但目前,使图像产生劣化的涡流磁场被认为是时间常数长的情况。并且,由于较长的时间常数的涡流磁场在摄像范围的所有位置中大致产生相同的影响,因此,涡流校正参数例如准备对准磁场中心的参数,并根据该涡流校正参数,来进行所有位置中的校正。但是,不必在摄像范围的所有位置中都进行适当地涡流校正,例如,在偏离磁场中心的位置中,存在在图像中生成变形等劣化的情况。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供一种可以适当地进行涡流校正的磁共振成像装置。
实施方式的磁共振成像装置具备存储部、涡流校正部、倾斜磁场电源。存储部针对每个摄像的位置存储对基于涡流磁场的影响进行校正的涡流校正参数。涡流校正部接受按照摄像条件而计算的倾斜磁场的波形,并对于接受到的倾斜磁场的波形,进行基于根据位置而选择的涡流校正参数的计算,并对于倾斜磁场电源输出作为计算结果而得到的校正后的波形。倾斜磁场电源接受校正后的波形,并按照校正后的波形施加倾斜磁场。
根据实施方式的磁共振成像装置,可以适当地进行涡流校正。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的MRI装置的结构的框(block)图。
图2A是用于说明第1实施方式中的涡流磁场的影响的图。
图2B是用于说明第1实施方式中的涡流磁场的影响的图。
图3是用于说明第1实施方式中的涡流校正参数的图。
图4是用于说明第1实施方式中的涡流校正参数的图。
图5是用于说明第1实施方式中的涡流校正参数的图。
图6是表示第1实施方式涉及的序列(sequence)控制部的结构的框图。
图7是用于说明对第1实施方式中的脉冲序列的适用性的图。
图8是表示第2实施方式涉及的序列控制部的结构的框图。
图9是表示第3实施方式涉及的序列控制部的结构的框图。
具体实施方式
(第1实施方式)
第1实施方式涉及的磁共振成像装置(以下,MRI(MagneticResonance Imaging)装置)针对每个摄像的位置准备涡流校正参数,并根据位置来校正倾斜磁场的波形。以下,在简单地说明了第1实施方式涉及的MRI装置的结构之后,针对第1实施方式中的涡流校正详细进行说明。
图1是表示第1实施方式涉及的MRI装置100的结构的框图。静磁场磁铁1形成中空的圆筒状,并在内部的空间中产生一样的静磁场。静磁场磁铁1例如是永久磁铁、超导磁铁等。倾斜磁场线圈2形成中空的圆筒状,并在内部的空间中产生倾斜磁场。具体而言,倾斜磁场线圈2被配置在静磁场磁铁1的内侧,从倾斜磁场电源3来接受电流的供给,发生倾斜磁场。倾斜磁场电源3按照从序列控制部10发送的控制信号,对倾斜磁场线圈2供给电流。
床4具备载置被检体P的顶板4a,将顶板4a以载置有被检体P的状态插入倾斜磁场线圈2的空洞(摄像口)内。通常,床4被设置成长度方向与静磁场磁铁1的中心轴平行。床控制部5驱动床4,使顶板4a向长度方向及上下方向移动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社,未经株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210055807.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:绝缘栅极双极型晶体管控制电路
- 下一篇:具有自顶出功能的电池包锁定结构